【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体存储器件、用于制造该半导体存储器件的方法和包括该半导体存储器件的电子系统，更具体地，涉及一种包括三维地布置的存储单元的半导体存储器件、一种用于制造该半导体存储器件的方法和一种包括该半导体存储器件的电子系统。
技术介绍
1、由于在电子系统中可能需要能够存储更大容量的数据的半导体存储器件，因此已经研究了能够提高半导体存储器件的数据存储容量的方法。作为一种能够提高半导体存储器件的数据存储容量的方法，已经提出了一种包括三维地布置的存储单元而不是二维地布置的存储单元的半导体存储器件。
技术实现思路
1、本公开的实施例提供了一种具有改进的集成度的半导体存储器件。
2、本公开的实施例提供了一种制造具有改进的集成度的半导体存储器件的方法。
3、本公开的其他实施例提供了一种包括具有改进的集成度的半导体存储器件的电子系统。
4、本公开的实施例不限于上面提及的那些实施例，并且根据以下描述，本领域的技术人员将清楚地理解本公开的在本文中未提及的额外目的。
<...【技术保护点】
1.一种半导体存储器件，所述半导体存储器件包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述单元基板包括暴露所述模制开口的至少一部分的基板开口，并且
3.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述第一沟道结构的一端电连接到所述单元基板。
4.根据权利要求3所述的半导体存储器件，其中，所述单元基板包括掺杂有杂质的多晶硅。
5.根据权利要求1所述的半导体存储器件，所述半导体存储器件还包括第二沟道结构，所述第二沟道结构在所述第一方向上延伸以穿过所述模制开口，与所述多个第二栅电极交叉。
6.根据权利要求1...
【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器件，所述半导体存储器件包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述单元基板包括暴露所述模制开口的至少一部分的基板开口，并且
3.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述第一沟道结构的一端电连接到所述单元基板。
4.根据权利要求3所述的半导体存储器件，其中，所述单元基板包括掺杂有杂质的多晶硅。
5.根据权利要求1所述的半导体存储器件，所述半导体存储器件还包括第二沟道结构，所述第二沟道结构在所述第一方向上延伸以穿过所述模制开口，与所述多个第二栅电极交叉。
6.根据权利要求1所述的半导体存储器件，所述半导体存储器件还包括：
7.根据权利要求6所述的半导体存储器件，其中，所述接触插塞在所述第一方向上不与所述模制开口交叠。
8.根据权利要求6所述的半导体存储器件，其中，所述接触插塞穿过所述模制开口和所述第二模制堆叠件。
9.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述第一沟道结构在所述第一模制堆叠件与所述第二模制堆叠件之间的边界处具有台阶差。
10.根据权利要求1所述的半导体存储器件，所述半导体存储器件还包括位于所述模制开口中的支撑堆叠件，所述支撑堆叠...
【专利技术属性】
技术研发人员：金俊亨，金智源，李雅凛，成锡江，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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