【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
在各个实施例中，本公开大体上涉及微电子装置设计及制造领域。更明确来说，本公开涉及包含在电容器区中且与微电子装置的存储器阵列水平间隔的电容器结构的微电子装置及设备及相关存储器装置、电子系统及形成微电子装置的方法。
技术介绍
1、微电子装置设计者通常期望通过减小个别特征的尺寸且通过减小相邻特征之间的分开距离而增大微电子装置内的特征的集成水平或密度。另外，微电子装置设计者通常期望设计不仅紧凑，而且提供性能优势以及简化、更容易及更便宜制造设计的架构。
2、微电子装置的一个实例是存储器装置。存储器装置通常提供为计算机或其它电子装置中的内部集成电路。存在许多类型的存储器装置，包含(但不限于)易失性存储器装置。一种类型的易失性存储器装置是动态随机存取存储器(dram)装置。dram装置可包含存储器阵列，所述存储器阵列包含布置成在第一水平方向上延伸的行及在第二水平方向上延伸的列的dram胞元。在一个设计配置中，个别dram胞元包含存取装置(例如，晶体管)及电连接到所述存取装置的存储节点装置(例如，电容器)。dram装置的dram胞元可通过沿...
【技术保护点】
1.一种微电子装置，其包括：
2.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述电容器结构电耦合到至少一些所述数字线。
3.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述电容器结构大体上与所述阵列区的所述存储器胞元的所述存储节点装置垂直对准。
4.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述电容器结构大体上与所述阵列区的所述存储器胞元的所述存取装置垂直对准。
5.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述电容器结构包括大体上与所述数字线及所述字线相同的材料组合物且进一步包括介电材料。
6.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种微电子装置，其包括：
2.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述电容器结构电耦合到至少一些所述数字线。
3.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述电容器结构大体上与所述阵列区的所述存储器胞元的所述存储节点装置垂直对准。
4.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述电容器结构大体上与所述阵列区的所述存储器胞元的所述存取装置垂直对准。
5.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述电容器结构包括大体上与所述数字线及所述字线相同的材料组合物且进一步包括介电材料。
6.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述电容器结构与半导体材料电连通。
7.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述电容器结构中的第一者的第一电极与水平相邻于所述电容器结构中的所述第一者的所述电容器结构中的第二者的第一电极连续。
8.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述电容器结构与所述额外控制逻辑装置电连通。
9.根据权利要求8所述的微电子装置，其中所述额外控制逻辑装置包括数字信号获取(dsa)装置、错误检查及校正(ecc)装置、电压产生器、命令地址装置、数据输出装置、命令地址装置、反熔丝装置、延迟锁定回路(dll)系统及延迟启用装置中的一或多者。
10.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述电容器结构中的一或多者包括解耦合电容器。
11.根据权利要求1到10中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述额外控制逻辑装置与所述控制逻辑装置垂直对准。
12.根据权利要求1到10中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述电容器区的水平区域是所述阵列区的水平区域的至少约50％。
13.根据权利要求1到10中任一权利要求所述的微电子装置，其中至少一些所述数字线从所述阵列区水平延伸到所述电容器区。
14.一种微电子装置，其包括：
15.根据权利要求14所述的微电子装置，其中所述额外控制逻辑装置与所述电容器结构电连通。
16.根据权利要求14所述的微电子装置，其进一步包括垂直下伏于所述电容器结构的所述第一微电子装置结构中的额外电容器结构。
17.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：F·A·席赛克·艾吉，何源，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：
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