【技术实现步骤摘要】
专利技术构思涉及一种半导体装置，更具体地，涉及一种多层存储器装置。
技术介绍
1、在需要数据存储的电子系统中，可以使用可以存储大容量数据的大容量半导体装置。因此，已经研究了增大半导体装置的数据存储容量的方法。例如，已经提出了包括可以三维地堆叠的存储器单元的半导体装置。
技术实现思路
1、示例实施例提供了一种制造具有改善特性的半导体装置的方法。在制造半导体装置的方法中，可以高效地形成用于将电信号传输到栅电极的接触插塞。
2、根据专利技术构思的方面，提供了一种半导体装置。半导体装置可以包括：栅电极结构，包括在基底上在与基底的上表面基本上垂直的第一方向上彼此间隔开的第一栅电极、第二栅电极、第三栅电极和第四栅电极，第一栅电极、第二栅电极、第三栅电极和第四栅电极中的每个可以在与基底的上表面基本上平行的第二方向上延伸；第一存储器沟道结构，在基底上延伸穿过第一栅电极、第二栅电极和第三栅电极；第二存储器沟道结构，接触第一存储器沟道结构的上表面并且延伸穿过第四栅电极；以及第一接触插塞，包括部分地...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一接触插塞的下部的上表面与第一存储器沟道结构的上表面基本上共面。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一接触插塞的上部的上表面与第二存储器沟道结构的上表面基本上共面。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一接触插塞包括在第一接触插塞的侧壁的分别面向第一栅电极、第二栅电极和第三栅电极的部分上的突出部分，突出部分在与基底的上表面基本上平行的水平方向上突出。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，第一接触插塞的突出部分中的...
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一接触插塞的下部的上表面与第一存储器沟道结构的上表面基本上共面。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一接触插塞的上部的上表面与第二存储器沟道结构的上表面基本上共面。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一接触插塞包括在第一接触插塞的侧壁的分别面向第一栅电极、第二栅电极和第三栅电极的部分上的突出部分，突出部分在与基底的上表面基本上平行的水平方向上突出。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，第一接触插塞的突出部分中的最上面的突出部分在水平方向上的宽度大于第一接触插塞的突出部分中的其它突出部分在水平方向上的宽度。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括绝缘图案，绝缘图案在第一接触插塞的侧壁的分别面向第一栅电极和第二栅电极的部分中的每个与第一栅电极和第二栅电极中的对应栅电极之间。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一栅电极至第三栅电极中的每个包括金属，并且第四栅电极包括掺杂多晶硅。
9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一栅电极用作地选择线，第二栅电极用作字线，第三栅电极是栅诱导漏极泄漏电极，并且第四栅电极用作串选择线。
10.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括第二接触插塞，第二接触插塞中的每个包括下部和在下部上并接触下部的上部，其中，下部部分地延伸穿过栅电极结构，
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