【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，尤其涉及一种半导体结构及其制备方法。
技术介绍
1、动态随机存储器(dynamic random access memory，dram)是常用的半导体存储器件，动态随机存储器包括由晶体管及电容器组成的存储单元。随着动态随机存取存储器(dram)特征尺寸持续缩小，形成的电容器的横向尺寸也在不断缩小，因而需要增大电容器的深宽比，以保证电容器的电容。
2、目前主要通过形成双面电容的方式来提高电容器的电容，在形成高深宽比的双面电容过程中，需要刻蚀形成高深宽比的电容孔，并在电容孔内形成下电极。然而，在形成双面电容的过程中，若形成的双面电容的深宽比较大，在刻蚀形成下电极的过程中，电容器不稳定，下电极容易出现倒塌的现象，导致电容器的存在电性不稳定的情况，从而影响半导体结构的良率。
技术实现思路
1、鉴于上述问题，本申请实施例提供一种半导体结构及其制备方法，能够防止下电极出现倒塌，以及保护有效区域下电极免受制程工艺的影响，提升电容器的稳定性以及电性稳定性，提升半导体结构的良率
2、本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，利用高电压扫描式电子显微镜对所述填充结构进行全貌测量，以获取所述填充结构的全貌图像。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，根据所述缺陷分布情况，将所述填充结构沿边缘至中间区域的方向，定义缺陷区域、过渡保护区域以及有效区域的步骤包括：
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，还包括：
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述叠层结构包括：依次层叠设置的第一支撑层、第一牺牲层、第二支撑层、第二...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，利用高电压扫描式电子显微镜对所述填充结构进行全貌测量，以获取所述填充结构的全貌图像。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，根据所述缺陷分布情况，将所述填充结构沿边缘至中间区域的方向，定义缺陷区域、过渡保护区域以及有效区域的步骤包括：
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，还包括：
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述叠层结构包括：依次层叠设置的第一支撑层、第一牺牲层、第二支撑层、第二牺牲层以及第三支撑层；
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，在所述过渡保护区域内形成边界线的步骤包括：
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，对所述第一光刻胶层进行图案化处理的步骤包括：
8.根据权利要求6所...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈恩浩，胡志勇，章杏，高雪地，周创，汪珊，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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