半导体器件制造技术

提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：下结构，包括位线；单元半导体主体，在下结构上与位线竖直地重叠；外围半导体主体，在下结构上，包括设置在与单元半导体主体的至少一部分相同水平上的部分；以及外围栅极，在外围半导体主体上，其中，外围半导体主体包括具有第一宽度的下区域、以及在下区域上具有大于第一宽度的第二宽度的上区域。

【技术实现步骤摘要】

本公开的示例实施例涉及一种半导体器件及其制造方法，并且更具体地，涉及一种包括外围半导体主体的半导体器件。

技术介绍

1、通常，可以通过减小半导体器件的元件的尺寸来提高半导体器件的性能。例如，这些元件可以包括晶体管的组件。元件尺寸的减小可以导致更高的元件密度、改进的功率效率、以及更低的制造成本。随着元件尺寸的减小，例如由于与散热和设计复杂度相关的挑战，实现具有期望性能水平的晶体管变得越来越困难。

技术实现思路

1、本公开的一些实施例可以提供一种具有增加的集成度和改进的性能的半导体器件。

2、本公开的示例实施例可以提供一种形成具有增加的集成度和改进的性能的半导体器件的方法。

3、根据本公开的示例实施例，提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：下结构，包括位线；单元半导体主体，与位线竖直地重叠；外围半导体主体，在下结构上，包括设置在与单元半导体主体的至少一部分相同水平上的部分；以及外围栅极，在外围半导体主体上，其中，外围半导体主体包括具有第一宽度的下区域、以及在下区域上具有大于第一宽度的第二本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述缓冲衬垫的上端部分和所述间隙填充绝缘层的上表面与所述外围绝缘结构接触，并且

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述缓冲衬垫还包括在所述间隙填充绝缘层的上表面和所述外围绝缘结构之间延伸的部分。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述外围器件隔离区还包括在所述缓冲衬垫和所述间隙填充绝缘层之间的绝缘衬垫。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述绝缘衬垫的材料不同于所述缓冲衬垫的材料和所述间隙填...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述缓冲衬垫的上端部分和所述间隙填充绝缘层的上表面与所述外围绝缘结构接触，并且

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述缓冲衬垫还包括在所述间隙填充绝缘层的上表面和所述外围绝缘结构之间延伸的部分。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述外围器件隔离区还包括在所述缓冲衬垫和所述间隙填充绝缘层之间的绝缘衬垫。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述绝缘衬垫的材料不同于所述缓冲衬垫的材料和所述间隙填充绝缘层的材料。

7.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述外围器件隔离区还包括绝缘衬垫，

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述缓冲衬垫的上端部分和所述绝缘衬垫的上端部分在比所述外围半导体主体的上表面的水平低的水平处。

9.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述缓冲衬垫的上端部分在比所述绝缘衬垫的上端部分的水平低的水平处。

10.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：金炅焕，崔贤根，金根楠，朴硕汉，申硕浩，慎重赞，李基硕，李相昊，郑文泳，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：