【技术实现步骤摘要】
示例性实施方式涉及用于高压流体分配的流体挡板及包括其的基板处理装置。更具体地，示例性实施方式涉及被配置成为了干燥基板而将高压超临界流体分配到基板的表面上的流体挡板及包括其的基板处理装置。
技术介绍
1、在对基板执行euv光致抗蚀剂层的显影工艺之后，可以执行使用超临界流体的干燥工艺，以干燥其上涂覆有显影剂的基板。在使用这种超临界流体的基板处理装置中，高压超临界流体可以从具有相对小的直径的流体供应端口高速供应到基板的上表面。当高速的流体与基板碰撞时，被施加到基板上的化学溶液可能被瞬时推出，并且基板可能在流体的密度不够高的状态下被干燥，这可能引起诸如图案塌陷的缺陷。
技术实现思路
1、示例性实施方式提供了能够向基板的表面上均匀地分配高压流体的用于高压流体分配的流体挡板。
2、示例性实施方式提供了包括所述流体挡板的基板处理装置。
3、根据示例性实施方式，流体挡板包括具有第一锥体形状的上部挡板以及与上部挡板一体地形成并且具有第二锥体形状的下部挡板。上部挡板和下部挡板中的每个具有三维弯曲结构，该三维弯曲结构的内部通过具有三周期极小曲面(tpms)的界面被划分成彼此扭曲的两个子空间。
4、根据示例性实施方式，基板处理装置包括：腔室，被配置成提供用于处理基板的空间；基板支承部，被配置成在腔室中支承基板；上部供应端口，设置在腔室的上部分中，并且被配置成向基板的上表面上供应超临界流体；凹部，设置在腔室的上壁中并且具有扩散器形状，扩散器形状的直径从上部供应端口的出口逐
5、根据示例性实施方式，基板处理装置包括：腔室，包括上部腔室和下部腔室，上部腔室和下部腔室可彼此接合并提供用于处理基板的空间；基板支承部，被配置成在腔室中支承基板；上部供应端口，设置在上部腔室中，并且被配置成向腔室中的基板的上表面上供应超临界流体；凹部，设置在上部腔室的下表面中，并且具有扩散器形状，扩散器形状的直径从上部供应端口的出口逐渐增大；以及流体挡板，在凹部中设置在上部供应端口与基板之间，并且具有三维弯曲结构，三维弯曲结构的内部通过具有三周期极小曲面(tpms)的界面被划分成彼此扭曲的两个子空间。
6、根据示例性实施方式，基板处理装置包括：腔室，包括上部腔室和下部腔室，上部腔室和下部腔室可彼此接合并提供用于处理基板的空间；基板支承部，被配置成在腔室中支承基板；上部供应端口，设置在上部腔室中，并且被配置成向腔室中的基板的上表面上供应超临界流体；排出端口，设置在腔室的下部分中，并且被配置成排出腔室中的流体；下部供应端口，在腔室的下部分中设置成与排出端口相邻，并且被配置成向腔室中供应超临界流体；凹部，设置在上部腔室的下表面中，并且具有扩散器形状，扩散器形状的直径从上部供应端口的出口逐渐增大；以及流体挡板，在凹部中设置在上部供应端口与基板之间，并且包括重复地布置在空间中并且彼此流体连通的单元格。单元格中的每个包括：上部孔，设置在第一平面中，并且流体进入上部孔；下部孔，设置在第二平面中，第二平面平行于第一平面并且沿着竖直方向与第一平面间隔开；交叉通过孔，设置在第一平面与第二平面之间；以及分支通道，在第一平面与第二平面之间沿着倾斜方向延伸，并且包括分别使上部孔与交叉通过孔连通的上部分支通道和分别使交叉通过孔与下部孔连通的下部分支通道。
7、根据示例性实施方式，用于高压流体分配的流体挡板可以包括具有沿着倾斜方向延伸的倾斜通道的流体管道。在具有较高压力的流体进入流体挡板之后，流体可以沿着倾斜通道从上部的晶格层移动到下部的晶格层。
8、流体挡板的流体管道可以具有球形形状，并且可以包括通过倾斜通道彼此流体连通的上部孔、交叉通过孔和下部孔。由于上部孔、交叉通过孔、下部孔和倾斜通道具有不同的直径，所以当流体穿过流体挡板的流体管道时，由于增加的压力损失，超临界流体的冲击压力可以反复地消散为动能。
9、因此，流体挡板可以被用作用于缓解从腔室的上部分朝向基板供应的流体的流速的惯性缓解构件。因此，在半导体光处理工艺期间在处理显影剂之后使用超临界流体来干燥显影剂的工艺中，可以减小由超临界流体施加到基板的上表面上的惯性力，从而防止诸如基板上的图案的塌陷的损坏。
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1.一种基板处理装置，包括：
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述单元格中的每个包括：
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述上部分支通道包括：
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，所述第一上部分支通道和所述第二上部分支通道设置在垂直于所述第一平面的第一竖直平面中，且所述第一下部分支通道和所述第二下部分支通道设置在垂直于所述第一平面并且与所述第一竖直平面相交的第二竖直平面中。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，所述第一竖直平面和所述第二竖直平面彼此垂直。
6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述单元格具有以三周期极小曲面设计的晶格结构。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其中，所述单元格的界面具有施瓦茨D表面。
8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述流体挡板包括：
9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其中，所述凹部包括：
10.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述流体挡板与所述凹部的内壁至少间隔开0.2
11.一种基板处理装置，包括：
12.根据权利要求11所述的基板处理装置，其中，所述界面具有施瓦茨D表面。
13.根据权利要求11所述的基板处理装置，其中，所述两个子空间中的每个包括重复地布置在空间中并且彼此流体连通的单元格，
14.根据权利要求13所述的基板处理装置，其中，所述第一上部分支通道和所述第二上部分支通道设置在垂直于所述第一平面的第一竖直平面中，且所述第一下部分支通道和所述第二下部分支通道设置在垂直于所述第一平面并且与所述第一竖直平面相交的第二竖直平面中。
15.根据权利要求14所述的基板处理装置，其中，所述第一竖直平面和所述第二竖直平面彼此垂直。
16.根据权利要求13所述的基板处理装置，其中，所述第一上部孔、所述第三上部孔、所述第二下部孔、所述第四下部孔和所述交叉通过孔具有第一直径，以及
17.根据权利要求16所述的基板处理装置，其中，所述第二直径的最小直径为7mm或更小。
18.根据权利要求11所述的基板处理装置，其中，所述流体挡板包括铁、铬和镍中的至少一种。
19.根据权利要求11所述的基板处理装置，其中，所述流体挡板包括：
20.一种基板处理装置，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，包括：
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述单元格中的每个包括：
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述上部分支通道包括：
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，所述第一上部分支通道和所述第二上部分支通道设置在垂直于所述第一平面的第一竖直平面中，且所述第一下部分支通道和所述第二下部分支通道设置在垂直于所述第一平面并且与所述第一竖直平面相交的第二竖直平面中。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，所述第一竖直平面和所述第二竖直平面彼此垂直。
6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述单元格具有以三周期极小曲面设计的晶格结构。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其中，所述单元格的界面具有施瓦茨d表面。
8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述流体挡板包括：
9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其中，所述凹部包括：
10.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述流体挡板与所述凹部的内壁至少间隔开0.2mm。
11.一种基板处理装置，包括：
【专利技术属性】
技术研发人员：姜亨奭，元俊皓，许弼覠，赵弘灿，金日宁，朴相真，辛承敃，朴智焕，李根泽，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：
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