【技术实现步骤摘要】
本公开涉及基板处理装置，并且更具体地，涉及允许基板被支承在超薄加热板上以便以接近的方式与超薄加热板隔开的基板处理装置。
技术介绍
1、通常，执行诸如清洗、沉积、光刻、蚀刻和离子注入的各种工艺来制造半导体器件。光刻工艺是在基板(晶片)上形成期望图案的工艺。光刻工艺通常在旋涂器本地设备中进行，旋涂器本地设备连接到曝光设备，并且旋涂器本地设备顺序地执行涂覆工艺、曝光工艺和显影工艺。
2、这种旋涂器本地设备顺序地或选择性地执行疏水化处理工艺、涂覆工艺、烘烤工艺和显影工艺。
3、疏水化处理工艺是通过在光刻胶涂覆之前向基板提供疏水化气体以增加光刻胶的粘附效率来使基板疏水化的工艺。烘烤工艺是加热和冷却晶片以增强形成在基板上的光刻胶膜或者以将基板的温度调节到预定温度的工艺。
4、在这种疏水化处理工艺或烘烤工艺中，可以应用其中形成有加热器或加热线图案的加热板来快速加热基板。
5、然而，这种现有的加热板是具有相对高的热容量以接收由于其大的厚度而在其中内置加热器所引起的热能的组件。然而，由于需要快速重复加热和冷...
【技术保护点】
1.基板处理装置，包括：
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述贯通接近销包括：
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述头部具有球形上表面，以便与所述基板点接触。
4.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述第一固定部分被实施为与所述加热板的所述上表面接触的凸缘。
5.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述第一固定部分被实施为凸缘，所述凸缘插入到限定在所述加热板的所述上表面中并从所述通孔延伸的凸缘凹槽中。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，所述凸缘包括：
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【技术特征摘要】
1.基板处理装置，包括：
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述贯通接近销包括：
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述头部具有球形上表面，以便与所述基板点接触。
4.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述第一固定部分被实施为与所述加热板的所述上表面接触的凸缘。
5.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述第一固定部分被实施为凸缘，所述凸缘插入到限定在所述加热板的所述上表面中并从所述通孔延伸的凸缘凹槽中。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，所述凸缘包括：
7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其中，所述磨靶部分被实施为磨靶表面或至少一个磨靶突起。
8.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述贯通接近销还包括连接到所述腰部并固定到所述加热板的第二固定部分。
9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其中，所述第二固定部分被实施为c形环对应件，所述c形环对应件形成为与c形环的形状对应的形状，使得所述腰部通过限定在所述c形环的一侧处的开口可拆卸地装配到所述c形环中。
10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其中，所述c形环对应件被实施为阶梯状部分，所述阶梯状部分的直径小于所述通孔的所述直径使得所述阶梯状部分的至少一部分穿过所述通孔，并且所述阶梯状部分的所述直径大于所述腰部的所述直径使得所述腰部经由所述c形环固定到所述加热板，
11.根据权利要求9所述的基板处理装置，其中，所述c形环对应件被实施为c形环凹槽，所述c形环凹槽形成在所述腰部中并且形成为与...
【专利技术属性】
技术研发人员：方济午，李周美，金旼永，李宗根，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：
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