半导体器件制造技术

提供了能提高元件性能和可靠性的半导体器件。半导体器件包括在第一方向上延伸的有源图案和在有源图案上在第一方向上彼此隔开的多个栅极结构。每个栅极结构包括在第二方向上延伸的栅电极、栅电极的侧壁上的栅极间隔物和设置在相邻栅极结构之间的源极/漏极图案。栅极结构包括半导体衬垫层和半导体衬垫层上的半导体填充层，半导体衬垫层和半导体填充层由硅锗形成。半导体填充层包括在第三方向上突出超过有源图案的上表面的上部。半导体填充层的上部在第一方向上的最大宽度大于有源图案的上表面上的半导体填充层在第一方向的宽度。半导体衬垫层包括与有源图案接触的外表面和面向半导体填充层的内表面。在平面图中，半导体衬垫层的内表面包括凹区域。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及一种半导体器件。

技术介绍

1、多栅极晶体管是一种用于增加半导体器件的密度的技术，在多栅极晶体管中，在衬底上形成鳍状或纳米线状的多沟道有源图案(或硅体)并且在多沟道有源图案的表面上形成栅极。

2、由于多栅极晶体管使用三维(3d)沟道，故可以促进多栅极晶体管的缩放。一个问题是在不增加多栅极晶体管的栅极长度的情况下提高电流控制能力。另一个问题是其中沟道区域的电势受到漏极电压的影响的短沟道效应(sce)。

技术实现思路

1、本公开的各方面提供了一种能够提高元件性能和可靠性的半导体器件。

2、然而，本公开的各方面不限于本文阐述的实施例。通过参考下面给出的本公开的详细描述，本公开的以上和其他方面对于本公开所属领域的普通技术人员将变得更加清楚。

3、根据本公开的各方面，提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：有源图案，所述有源图案在第一方向上延伸；多个栅极结构，所述多个栅极结构在所述有源图案上在所述第一方向上彼此间隔开，每个栅极结构包括在第二方向上延伸的栅电极和位于所述栅电本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅极间隔物包括第一间隔物和第二间隔物，

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第二间隔物的一部分沿着所述源极/漏极图案的上表面延伸。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，所述半导体器件还包括设置在所述源极/漏极图案上并且沿着所述栅极间隔物的侧壁延伸的源极/漏极蚀刻停止层，

5.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，在平面图中，所述半导体衬垫层的一部分在所述第一方向上朝向所述半导体填充层突出超过所述第一间隔物。

6.根据权利要求1所述的...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅极间隔物包括第一间隔物和第二间隔物，

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第二间隔物的一部分沿着所述源极/漏极图案的上表面延伸。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，所述半导体器件还包括设置在所述源极/漏极图案上并且沿着所述栅极间隔物的侧壁延伸的源极/漏极蚀刻停止层，

5.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，在平面图中，所述半导体衬垫层的一部分在所述第一方向上朝向所述半导体填充层突出超过所述第一间隔物。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述第一距离大于所述第二距离和所述第三距离。

8.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述第一距离小于所述第二距离和所述第三距离。

9.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述第一距离小于所述第二距...

【专利技术属性】
技术研发人员：申东石，金正泽，刘贤琯，金锡勋，朴判贵，郑㥠珍，赵南奎，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：