【技术实现步骤摘要】
本公开涉及使用超临界流体的衬底处理装置。
技术介绍
1、随着半导体器件的集成度越来越高，各个电路图案变得越来越小型化，以便在相同面积内实现更多的半导体器件。即，随着半导体器件的集成度增加，半导体器件的组件的设计规则不断减小。
2、在高度缩小的半导体器件中，沟槽填充工艺变得越来越困难。当通过原子层沉积(ald)或化学气相沉积(cvd)用金属填充沟槽时，可能无法充分填充具有高深宽比的沟槽，并且沟槽的内部可能出现接缝或空隙或夹断缺陷。
技术实现思路
1、本公开的方面提供了一种使用超临界流体的衬底处理装置，该装置能够在具有高深宽比的沟槽中沉积共形膜并且能够进行无空隙的完全间隙填充。
2、然而，本公开的方面不限于本文阐述的内容。通过参考下面给出的本公开的详细描述，本公开的上述和其他方面对于本公开所属领域的普通技术人员而言将变得更加清楚。
3、根据本公开的一方面，提供了一种衬底处理装置，包括：上容器，包括第一主体供应端口，所述供应端口形成在所述第一主体中并且供应工艺...
【技术保护点】
1.一种衬底处理装置，包括：
2.根据权利要求1所述的装置，其中，当在所述处理空间中执行所述超临界工艺时，所述支撑板比所述第二主体高。
3.根据权利要求1所述的装置，其中，加热器安装在所述支撑板内部，并且在执行所述超临界工艺时运行。
4.根据权利要求1所述的装置，其中，由绝热材料制成的第一内衬安装在所述挡板的暴露于所述处理空间的第一部分上。
5.根据权利要求1所述的装置，其中，由绝热材料制成的第二内衬安装在所述上容器的暴露于所述处理空间的第二部分上。
6.根据权利要求5所述的装置，其中，所述第一主体包括中心区...
【技术特征摘要】
1.一种衬底处理装置，包括：
2.根据权利要求1所述的装置，其中，当在所述处理空间中执行所述超临界工艺时，所述支撑板比所述第二主体高。
3.根据权利要求1所述的装置，其中，加热器安装在所述支撑板内部，并且在执行所述超临界工艺时运行。
4.根据权利要求1所述的装置，其中，由绝热材料制成的第一内衬安装在所述挡板的暴露于所述处理空间的第一部分上。
5.根据权利要求1所述的装置，其中，由绝热材料制成的第二内衬安装在所述上容器的暴露于所述处理空间的第二部分上。
6.根据权利要求5所述的装置，其中，所述第一主体包括中心区域和围绕所述中心区域的外围区域，第一容纳空间形成在所述中心区域中，所述第一容纳空间连接到所述供应端口，并且所述挡板位于所述第一容纳空间中，所述外围区域从所述中心区域突出，并且所述第二内衬安装在所述外围区域中。
7.根据权利要求1所述的装置，其中，由绝热材料制成的第三内衬安装在所述下容器的暴露于所述处理空间的第三部分上。
8.根据权利要求7所述的装置，其中，第二容纳空间形成在所述第二主体中，所述第二容纳空间连接到所述排出端口，并且所述支撑板位于所述第二容纳空间中，并且所述第三内衬安装在所述第二容纳空间的侧壁上。
9.根据权利要求1所述的装置，其中，内衬安装在形成所述处理空间的所述挡板、所述上容器和所述下容器中的至少一个上，并且所述内衬包括聚四氟乙烯ptfe或陶瓷。
10.根据权利要求9所述的装置，其中，所述上容器和所述下容器包括不锈钢sus。
11.根据权利要求1所述的装置，还包括支撑件，所述支撑件安装...
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