【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及，其包括至少两 个不同的方法步骤。该方法的至少一个步骤为抛光步骤，借助该步骤将基 材在抛光布上抛光，该抛光布包含粘结于抛光布中的磨料。
技术介绍
W0 99/55491 Al中描述了一种两步抛光法，其包括第一抛光步骤，其 中将基材在抛光布上抛光，该抛光布包含粘结于抛光布中的磨料。其中使 用该抛光布即固结磨料抛光布(fixed-abrasive pad)的抛光步骤在下文 中简称为FAP步骤。两步抛光法的随后第二抛光步骤是将基材在不包含粘 结磨料的抛光布上的化学机械抛光。在此，将磨料以浆料(Suspension)的 形式施加至基材与抛光布之间。该抛光步骤在下文中简称为CMP步骤。其 用于根据WO 99/55491 Al的两步抛光法中尤其是为了除去FAP步骤在基 材的抛光表面上留下的划痕。EP 1 717 001 Al是在抛光于表面上尚未形成元件结构的半导体晶片时 也使用FAP步骤的一个实例。在抛光该半导体晶片时，首先是产生至少一 个特别平的侧面，该侧面具有尽可能小的微观粗糙度和纳米形貌。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供由半导体材料构成的基材的改进的抛...
【技术保护点】
用于抛光由半导体材料构成的基材的方法，其包括至少一个Ａ型抛光步骤，所述基材借助该步骤在抛光布上被抛光，该抛光布包含粘结于抛光布中的磨料，其中在该抛光步骤中将抛光剂溶液施加至所述基材与所述抛光布之间；以及至少一个Ｂ型抛光步骤，所述基材借助该步骤在抛光布上被抛光，该抛光布包含粘结在抛光布中的磨料，其中在该抛光步骤中将包含非粘结的磨料的抛光剂浆料施加至所述基材与所述抛光布之间。
【技术特征摘要】
1、用于抛光由半导体材料构成的基材的方法，其包括至少一个A型抛光步骤，所述基材借助该步骤在抛光布上被抛光，该抛光布包含粘结于抛光布中的磨料，其中在该抛光步骤中将抛光剂溶液施加至所述基材与所述抛光布之间；以及至少一个B型抛光步骤，所述基材借助该步骤在抛光布上被抛光，该抛光布包含粘结在抛光布中的磨料，其中在该抛光步骤中将包含非粘结的磨料的抛光剂浆料施加至所述基材与所述抛光布之间。2、 如权利要求1的方法，其特征在于，所述B型抛光步骤在所述A 型抛光步骤之前或之后实施。3、 如权利要求1或2的方法，其特征在于，所述A型抛光步骤和 所述B型抛光步骤在同一抛光板上实施。4、 如权利要求1或2的方法，其特征在于，所述A型抛光步骤和 所述B型抛光步骤在不同的抛光板上实施。5、 如权利要求1至4之一的方法，其包括至少一个C型抛光步骤， 所述基材借助该步骤用...
【专利技术属性】
技术研发人员：J·施万德纳，T·布施哈尔特，R·考珀特，G·皮奇，
申请(专利权)人：硅电子股份公司，
类型：发明
国别省市：DE
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