【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于高压装置的
，特备涉及一种用于向活塞圆筒形金刚石对顶砧转移二维层状半导体材料的装置。
技术介绍
自2004年具有二维六角形蜂巢状晶格结构的石墨烯被制备以来，其优良的电学性能和机械性能使其受到各领域研究者的广泛关注。从2010年起，过渡族金属硫化物(形式为MX2，这里M代表四族元素如Ti，Zr，Hf等；五族元素V，Nb，Ta等；六族元素Mo，W等；X为硫族元素，S，Se或Te。)的材料吸引了研究者的广泛兴趣。这些化合物的体材料为层状组成，层与层之间有van der Waals力连接，单层结构由X-M-X构成。其单层的能带中存在直接带隙，双层多层体材料具有间接带隙。近些年来，对不同层级的二维层状半导体材料的研究非常迅速，其在高压下的能带结构和晶格结构的变化同样吸引了很多科研工作者的兴趣。在目前的高压研究领域中，金刚石对顶砧(DAC)是获得高压的重要的装置之一。尤其活塞圆筒型金刚石对顶砧以其高稳定性受到更多研究人员的青睐。要探测不同层级二维层状半导体材料在高温高压下的物性特征，需将样品材料装入金刚石对顶砧的样品腔中。目前实验人员选择的实验方式主要是...
【技术保护点】
一种向金刚石对顶砧转移二维层状半导体材料的装置，其结构有光学显微镜(9)和样品台(4)，其特征在于，结构还有三维平移台(5)、延展臂(6)、竖井(7)和玻璃片(8)，其中延展臂(6)的一端固定在三维平移台(5)上且能在三维平移台(5)的带动下在前后、左右、竖直3个方向自由平移，延展臂(6)的另一端与竖井(7)的顶部固定在一起，竖井(7)垂直放置，其中心有一个由上到下的通孔，竖井的底部粘附玻璃片(8)。
【技术特征摘要】
1.一种向金刚石对顶砧转移二维层状半导体材料的装置，其结构有光学显微镜(9)和样品台(4)，其特征在于，结构还有三维平移台(5)、延展臂(6)、竖井(7)和玻璃片(8)，其中延展臂(6)的一端固定在三维平移台(5)上且能在三维平移台(5)的带动下在前后、左右、竖直3个方向自由平移，延展臂(6)的另一端与竖井(7)的顶部固定在一起，竖井(7)垂直放置，其中心有一个由上到下的通孔，竖井的底部粘附玻璃片(8)。2.一种向金刚石对顶砧转移二维层状半导体材料的方法，其特征在于，利用权利要求1所述的向金刚石对顶砧转移二维层状半导体材料的装置完成，具体有以下步骤：第一步，在胶膜衬底上用机械剥离方法制备样品，所述的胶膜衬底是聚二甲基硅氧烷胶膜，将胶膜衬底剪成面积1.5cm2的正方形，去掉前后的保护膜，贴到一个干净的载玻片上，然后将一块二维层状半导体材料放到胶带中，将胶带反复对折撕开，直至胶带上均匀分布着一层样品，将带有样品的胶带覆盖到胶膜衬底上，撕下胶带，在胶膜衬底上留存了二维层状半导体材料，最后将胶膜衬底放到光学显微镜(9)下找到样品，并在胶膜衬底上直接进行光学手段表征，以确定目标样品的层数；第二步，将带有目标样品的胶膜衬底用...
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