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本发明的向金刚石对顶砧转移二维层状半导体材料的装置和方法属于高压装置的技术领域。装置结构有光学显微镜(9)、样品台(4)、三维平移台(5)、延展臂(6)、竖井(7)和玻璃片(8)。利用本发明可以将二维层状半导体材料转移到金刚石对顶砧中，克服...
该专利属于吉林大学所有，仅供学习研究参考，未经过吉林大学授权不得商用。

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