一种类金刚石碳膜沉积装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及镀膜技术领域，尤其涉及一种类金刚石碳膜沉积装置，真空室的上盖与真空室的室底相对，真空室的侧壁连接上盖和室底，以形成一腔室；侧壁上开设有一开口；门体与真空室连接，用于盖设于开口；电场平衡机构可拆卸地连接在开口处的侧壁上，用于补全开口，电场平衡机构呈板状，且，电场平衡机构的尺寸大于等于开口的尺寸；阳极靶和阴极靶设置在真空室的内部，且，阳极靶与阴极靶相对设置，阴极靶位于真空室的室底与阳极靶之间；驱动机构穿过室底与阴极靶相连；抽真空装置与真空室连通；充气引入座设置在室底。本申请通过在真空室侧壁上的开口处增设电场平衡机构，从而能够保证真空室内的电场平衡。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及镀膜
，尤其涉及一种类金刚石碳膜沉积装置。
技术介绍
类金刚石碳膜(Diamond Like Carbon，DLC)是一种以sp3和sp2键的形式结合生成的亚稳态材料，其不仅兼具了金刚石和石墨的优良特性，还具有高硬度、高电阻率和良好光学性能，同时又具有自身独特摩擦学特性，可广泛用于机械、电子、光学、热学、声学和医学等领域。由于DLC是亚稳态材料，在制备过程中需要荷能离子轰击生长表面，通常，采用物理气相沉积方法、化学沉积方法或等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)方法进行制备，而PECVD方法由于沉积速率快、成膜质量好，被广泛应用于DLC的制备。沉积装置在制备DLC的过程中会出现沉积物垃圾，沉积物垃圾在沉积装置的底部积累，若不及时清理干净，沉积物垃圾将会影响下一次沉积。现有技术在清理沉积物垃圾时，首先将真空室的上盖升起，接着将真空吸头从真空室的上方伸入到真空室的底部，对底部的沉积物垃圾进行清理，由于真空吸头往往不方便拐弯，因此在清理真空室底部的沉积物垃圾时，存在清理不彻底的问题。为克服清理不彻底的问题，可以在真空室的侧壁上设置门体，从而真空吸头能够从真空室侧壁伸到内部进行清扫，真空吸头不再需要拐弯，易于清理真空室底部的沉积物垃圾，清理彻底。但是，在设置门体时将会在真空室的侧壁上开口，而开口会对真空室内的电场分布造成影响，造成电场不平衡。
技术实现思路
本技术通过提供一种类金刚石碳膜沉积装置，解决了现有技术中在真空室侧壁开设门体将会造成真空室内部电场不平衡的技术问题。本技术实施例提供了一种类金刚石碳膜沉积装置，包括真空室、门体、
阳极靶、阴极靶、驱动机构、抽真空装置、电场平衡机构和充气引入座；所述真空室的上盖与所述真空室的室底相对，所述真空室的侧壁连接所述上盖和所述室底，以形成一腔室；所述侧壁上开设有一开口；所述门体与所述真空室连接，用于盖设于所述开口；所述电场平衡机构可拆卸地连接在所述开口处的所述侧壁上，用于补全所述开口，其中，所述电场平衡机构呈板状，且，所述电场平衡机构的尺寸大于等于所述开口的尺寸；所述阳极靶和所述阴极靶设置在所述真空室的内部，且，所述阳极靶与所述阴极靶相对设置，所述阴极靶位于所述真空室的室底与所述阳极靶之间；所述驱动机构穿过所述室底与所述阴极靶相连；所述抽真空装置与所述真空室连通；所述充气引入座设置在所述室底。优选的，所述电场平衡机构的尺寸与所述开口的尺寸相同。优选的，所述电场平衡机构与所述真空室的侧壁之间通过螺栓连接。优选的，所述真空室为圆柱体，所述开口呈弧形，所述电场平衡机构为弧形板。优选的，所述门体上具有一探视窗。优选的，还包括升降机构；所述升降机构与所述上盖相连。优选的，所述升降机构为电动升降机构或液压升降机构。优选的，所述驱动机构为电机。优选的，还包括调节阀；所述调节阀设置在所述抽真空装置与所述真空室连通处。优选的，所述调节阀为可调电动阀。本技术实施例中的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优
点：本技术通过在真空室的侧壁上设置门体，在需要清理沉积物垃圾时，打开侧壁上的门体，将真空吸头从真空室的侧壁伸到内部进行清扫，真空吸头不再需要拐弯，易于清理底部的沉积物垃圾，清理彻底，不会污染下一次沉积过程，并且，通过在真空室侧壁上的开口处增设电场平衡机构，利用电场平衡机构补全真空室的侧壁上的开口，从而能够保证真空室内的电场平衡，保证了沉积效果。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为本技术实施例中一种类金刚石碳膜沉积装置的剖面图；图2为本技术实施例中真空室与开口之间相对位置关系的示意图；图3为本技术实施例中一种具体实施方式下的电场平衡机构的结构示意图。其中，1为真空室，101为开口，102为上盖，2为门体，3为阳极靶，4为阴极靶，5为旋转驱动机构，6为抽真空装置，7为连接通道，8为机架，9为探视窗，10为升降机构，11为电场平衡机构。具体实施方式为解决现有技术中在真空室侧壁开设门体将会造成真空室内部电场不平衡的技术问题，本技术提供一种类金刚石碳膜沉积装置，通过在真空室侧壁上的开口处增设电场平衡机构，利用电场平衡机构补全真空室的侧壁上的开口，从而能够保证真空室内的电场平衡，保证了沉积效果。为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整
地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。本技术实施例提供一种类金刚石碳膜沉积装置，如图1所示，所述装置包括真空室1、门体2、阳极靶3、阴极靶4、驱动机构5、抽真空装置6、连接通道7、机架8和电场平衡机构11。真空室1的上盖102与真空室1的室底相对，真空室1的侧壁连接上盖102和室底，以形成一腔室。真空室1放置于机架8上，真空室1的侧壁上开设有一开口101，门体2与真空室1连接，用于盖设于开口101。电场平衡机构11可拆卸地连接在开口101处的真空室1的侧壁上，用于补全开口101，其中，电场平衡机构11呈板状，且，电场平衡机构11的尺寸大于等于开口101的尺寸。阳极靶3和阴极靶4设置在真空室1的内部，且，阳极靶3与阴极靶4相对设置，且，阴极靶4位于,真空室1的室底与阳极靶3之间。驱动机构5穿过真空室1的室底与阴极靶4相连。抽真空装置6与真空室1连通，具体的，抽真空装置6通过连接通道7与真空室1连通。其中，抽真空装置6为分子泵。具体来讲，当电场平衡机构11的尺寸大于开口101的尺寸时，电场平衡机构11与开口101的形状可以相同，也可以不同，只要在安装后，电场平衡机构11能够补全开口101即可。而，当电场平衡机构11的尺寸等于开口101的尺寸时，电场平衡机构11与开口101的形状相同，大小也相同，在安装时，电场平衡机构11刚好能够补全开口101。本申请在真空室1的侧壁上设置门体2，在需要清理沉积物垃圾时，打开侧壁上的门体2，将真空吸头从真空室1的侧壁伸到内部进行清扫，真空吸头不再需要拐弯，易于清理底部的沉积物垃圾，清理彻底，不会污染下一次沉积过程，并且，通过在开口101处增设电场平衡机构11，利用电场平衡机构11补全真空室1的侧壁上的开口101，从而能够保证真空室1内的电场平衡，进而保证沉积效果。优选的，电场平衡机构11的尺寸与开口101的尺寸相同，电场平衡机构
11刚好能够补全开口101，从而，既能够保证电场平衡，又不会浪费材料。又，电场平衡机构11与真空室1的侧壁之间通过螺栓连接，当需要从真空室1内部拆卸下电场平衡机构11时，先拆卸下螺栓，再从真空室1侧壁上取下电场平衡机构11，拆卸方便本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种类金刚石碳膜沉积装置，其特征在于，包括真空室、门体、阳极靶、阴极靶、驱动机构、抽真空装置、电场平衡机构和充气引入座；所述真空室的上盖与所述真空室的室底相对，所述真空室的侧壁连接所述上盖和所述室底，以形成一腔室；所述侧壁上开设有一开口；所述门体与所述真空室连接，用于盖设于所述开口；所述电场平衡机构可拆卸地连接在所述开口处的所述侧壁上，用于补全所述开口，其中，所述电场平衡机构呈板状，且，所述电场平衡机构的尺寸大于等于所述开口的尺寸；所述阳极靶和所述阴极靶设置在所述真空室的内部，且，所述阳极靶与所述阴极靶相对设置，所述阴极靶位于所述真空室的室底与所述阳极靶之间；所述驱动机构穿过所述室底与所述阴极靶相连；所述抽真空装置与所述真空室连通；所述充气引入座设置在所述室底。

【技术特征摘要】
1.一种类金刚石碳膜沉积装置，其特征在于，包括真空室、门体、阳极靶、阴极靶、驱动机构、抽真空装置、电场平衡机构和充气引入座；所述真空室的上盖与所述真空室的室底相对，所述真空室的侧壁连接所述上盖和所述室底，以形成一腔室；所述侧壁上开设有一开口；所述门体与所述真空室连接，用于盖设于所述开口；所述电场平衡机构可拆卸地连接在所述开口处的所述侧壁上，用于补全所述开口，其中，所述电场平衡机构呈板状，且，所述电场平衡机构的尺寸大于等于所述开口的尺寸；所述阳极靶和所述阴极靶设置在所述真空室的内部，且，所述阳极靶与所述阴极靶相对设置，所述阴极靶位于所述真空室的室底与所述阳极靶之间；所述驱动机构穿过所述室底与所述阴极靶相连；所述抽真空装置与所述真空室连通；所述充气引入座设置在所述室底。2.如权利要求1所述的装置，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：向勇，傅绍英，徐子明，杨小军，闫宗楷，
申请(专利权)人：成都西沃克真空科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51