一种ZrS2二维半导体材料的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种ZrS2二维半导体材料的制备方法，包括：步骤a、在石英舟A上斜放两片SiO2/Si衬底，然后将石英舟A与SiO2/Si衬底一起放于高温管式炉中，并将石英舟A放于高温管式炉的石英管的中间位置；步骤b、在石英舟B中平铺氯化锆粉末，将其放于高温管式炉的石英管中并且距离石英舟A 12‑15cm位置处；步骤c、在距离石英舟A 18‑21cm处放入硫舟，硫舟和石英舟B均置于石英舟A的一侧；步骤d、在常温下向石英管中通惰性气体8‑15min，将石英管中的空气完全排净，调小惰性气体的气流量，使高温管式炉升温至770‑880℃，反应完全后自然降温。通过上述方式，本发明专利技术能够利用常压物理气相沉积的方法制备了高质量二维二硫化锆材料。

【技术实现步骤摘要】
201610121098

【技术保护点】
一种ZrS2二维半导体材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤a、在石英舟A上斜放两片尺寸相同且正面朝上的SiO2/Si衬底，然后将石英舟A与SiO2/Si衬底一起放于高温管式炉中，并将石英舟A放于高温管式炉的石英管的中间位置；步骤b、在石英舟B中平铺氯化锆粉末，将其放于高温管式炉的石英管中并且距离石英舟A 12‑15cm位置处；步骤c、在距离石英舟A 18‑21cm处放入硫舟，硫舟和石英舟B均置于石英舟A的一侧；步骤d、在常温下向石英管中通惰性气体8‑15min，将石英管中的空气完全排净，调小惰性气体的气流量，使高温管式炉升温至770‑880℃，反应完全后自然降温；待石英管的温度达到室温时取出样品，样品制备完成。

【技术特征摘要】
1.一种ZrS2二维半导体材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤a、在石英舟A上斜放两片尺寸相同且正面朝上的SiO2/Si衬底，然后将石英舟A与SiO2/Si衬底一起放于高温管式炉中，并将石英舟A放于高温管式炉的石英管的中间位置；步骤b、在石英舟B中平铺氯化锆粉末，将其放于高温管式炉的石英管中并且距离石英舟A 12-15cm位置处；步骤c、在距离石英舟A 18-21cm处放入硫舟，硫舟和石英舟B均置于石英舟A的一侧；步骤d、在常温下向石英管中通惰性气体8-15min，将石英管中的空气完全排净，调小惰性气体的气流量，使高温管式炉升温至770-880℃，反应完全后自然降温；待石英管的温度达到室温时取出样品，样品制备完...

【专利技术属性】
技术研发人员：李京波，王晓婷，吴福根，陈颖，
申请(专利权)人：广东工业大学，
类型：发明
国别省市：广东;44