单晶半导体材料的制造制造技术

本发明专利技术涉及一种用于制造单晶半导体材料的方法，其中半导体材料提供为起始材料，将起始材料传送到加热区域，在加热区域中将起始材料供送到半导体材料的熔体中，熔体从加热区域下降和/或升高加热区域，使得在熔体下端形成凝固前沿，沿该凝固前沿半导体材料结晶成期望的结构，其中该起始材料由液态半导体材料制备并以液态形式供给到熔体中。本发明专利技术还涉及用于制造单晶半导体材料的装置，包括用作起始材料的液态半导体材料源，用于制造和/或保持半导体材料制熔体的加热器件以及优选的用于控制用作起始材料的液态半导体材料供给到熔体中的器件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】CN 102947025 A书明说1/6页单晶半导体材料的制造本专利技术涉及用于制造单晶半导体材料特别是单晶硅的方法。此外，本专利技术涉及用于制造这种单晶半导体材料的装置。元素硅以不同的纯度尤其使用在光伏(太阳能电池)和微电子(半导体，计算机芯片)中。因此，通常根据其纯度来对元素硅进行分类。例如区分为具有PPT范围杂质含量的“电子级硅”与允许有略微更高杂质含量的“太阳能级硅”。在太阳能级硅和电子级硅的制造中，常常从冶金硅(通常98-99%纯度)出发并通过多步骤的复杂方法进行纯化。因此，例如能够使用氯化氢在流化床反应器中将冶金硅转变为三氯硅烷，所述三氯硅烷随后歧化形成四氯化硅和甲硅烷。后者热分解成元素组成部分硅和氢。相应的方法步骤例如描述在W02009/121558中。以这种方式获得的硅在各种情况下具有至少一种足够高的纯度，以便被分类为太阳能级硅。任选地，通过随后附加的纯化步骤能够获得甚至更高的纯度。同时，对于许多应用来说，以上述方法形成并通常以多晶形式获得的硅转变成单晶硅是有利的或者甚至是必需的。例如，由单晶硅制成的太阳能电池的效率通常显著高于由多晶硅制成的太阳能电池。·多晶硅转换成单本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：U·克拉特，C·施密德，J·哈恩，
申请(专利权)人：施米德硅晶片科技有限责任公司，
类型：
国别省市：