溅射靶材的制造方法及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本公开涉及溅射靶材的制造方法及半导体装置的制造方法。在利用溅射法形成氧化物半导体的情况下，当比较溅射靶材的组成和使用该溅射靶材形成的膜的组成时，根据氧化物半导体的材料而产生组成的差异。在包含氧化锌的溅射靶材的制造中，预先形成包含氧化锌的结晶，粉碎该结晶，添加固定量的氧化锌而将它们混合，然后，使该物质烧结来制造溅射靶材。使溅射靶材包含多于包含在最后获得的具有所希望的组成的膜中的锌并考虑到当利用溅射法形成膜时减少的锌的量或当进行烧结时减少的锌的量等而调整上述溅射靶材的组成。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种溅射靶材的制造方法，包括如下步骤：对多个金属氧化物进行第一焙烧，以形成结晶；将所述结晶粉碎为粉末；对所述粉末及氧化锌进行第二焙烧，以形成烧结体；对所述烧结体进行机械加工，以形成靶材；对所述靶材进行加热处理；以及将所述靶材贴合到垫板。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，丸山哲纪，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：