【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种陷光结构氮化硅薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：a）清洗石英玻璃（1）；b）将石英玻璃与氮化硅靶材（3）上、下对应地固定在镀膜设备内，所述镀膜设备具有充气口与抽真空口；c）对所述镀膜设备进行抽真空直至其压强优于2.1×10?4Pa；d）对所述镀膜设备充入Ar作为溅射气体；e）所述氮化硅靶材（3）与石英玻璃（1）之间设置永磁铁（2），磁场方向竖直向上。f）石英玻璃（1）下表面形成陷光结构的氮化硅薄膜。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：江强，郭雪梅，周细应，毛秀娟，陈明，邵佳佳，杨秋杰，
申请(专利权)人：上海工程技术大学，
类型：发明
国别省市：
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