【技术实现步骤摘要】
具有低摩擦的涂层的制造方法相关申请的交叉引用本申请依照35U.S.C.§119(a)要求于2011年11月25日提交的韩国专利申请第10-2011-0124270号的权益,其全部内容并入本文以作参考。
本公开涉及一种制备具有低摩擦的涂层的方法,更具体地,本专利技术涉及一种通过控制工艺条件(偏压、溅射功率等)在表面上形成纳米级Ag粒子以形成涂层的方法。
技术介绍
通常而言,等离子体涂敷技术用于在真空条件下利用等离子体现象将材料涂敷在未处理的基材上。这样的涂覆可以增加原始基材所不具有的机械和功能特性。等离子体涂敷技术通常分为CVD(化学气相沉积)和PVD(物理气相沉积)。对于PVD技术,真空沉积、溅射、离子镀等被广泛使用。离子镀根据等离子体激活方法和涂覆材料电离方法还被进一步分为多种涂覆方法。一种离子镀技术是电弧离子镀,其中使用电弧放电使涂覆材料(目标物)作为负极而被蒸汽电离。电弧离子镀可用于硬涂层的形成,因为其具有快速蒸发速度,从而引起快速涂覆,因此可得到良好的生产率、以及高电离、撞击(crash)与迁移能量。DLC(类钻碳)涂层是一种低摩擦涂层,其主要被用于涂覆常 ...
【技术保护点】
一种使用等离子体在基材的表面上制备低摩擦涂层的方法,包括:低摩擦涂层步骤,在某个涂覆温度下使用Ti电弧源和Ag溅射源在所述基材的表面上形成TiAgN涂层,所述低摩擦涂层步骤还包括组分增加步骤,通过增加偏压和溅射功率并持续一定时间使所述表面上的Ag组分增加,以及纳米形成步骤,通过使温度保持在高于所述涂覆温度的某个温度并持续一定时间而在所述表面上形成Ag纳米粒子。
【技术特征摘要】
2011.11.25 KR 10-2011-01242701.一种使用等离子体在基材的表面上制备低摩擦涂层的方法,包括:低摩擦涂层步骤,在250~350℃的温度下使用Ti电弧源和Ag溅射源在所述基材的表面上形成TiAgN涂层,组分增加步骤,通过在所述低摩擦涂层步骤的最后部分增加偏压和溅射功率并持续一定时间使所述表面上的Ag组分增加,以及纳米形成步骤,通过使温度保持在比所述涂覆温度高出50~100℃并持续一定时间而在所述表面上形成Ag纳米粒子。2.如权利要求1所述的方法,其中在所述组分增加步骤中,使...
【专利技术属性】
技术研发人员:吕寅雄,洪雄杓,崔光勋,姜赫,
申请(专利权)人:现代自动车株式会社,
类型:发明
国别省市:
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