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本公开涉及溅射靶材的制造方法及半导体装置的制造方法。在利用溅射法形成氧化物半导体的情况下，当比较溅射靶材的组成和使用该溅射靶材形成的膜的组成时，根据氧化物半导体的材料而产生组成的差异。在包含氧化锌的溅射靶材的制造中，预先形成包含氧化锌的结晶...
该专利属于株式会社半导体能源研究所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社半导体能源研究所授权不得商用。

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