【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体材料生长领域，尤其涉及。
技术介绍
以氮化物为代表的第三代半导体材料属直接带隙半导体，具有禁带宽度大、电子饱和速度高、介电常数小等优点。高电子迁移率、高击穿电场、化学稳定等优异性能，使其可以在苛刻的条件下工作，适合制备多种器件。分别在光电子器件激光二极管、紫外探测器、发光二极管等方面广泛应用。代表性的以GaN材料为例，在光电子器件方面，蓝光光源可用于深海通信，蓝光激光器可用于生物化学武器的探测识别等。目前生长GaN材料的方法有很多，无论从纯度还是效率来讲，HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxy,氢化物气相外延)法是目前制备GaN衬底的主要方法，用此方法生长代表性的有美国的Kyma公司、日本的住友电工、日立电线三菱化学以及法国的Lumilog等。其制备通常都是在特定的衬底表面上，通过化学沉积或其他方式沉积，多数为异质生长。对于异质生长的外延材料来说，受气氛影响，当生长到一定厚度会在衬底及晶片边缘沉积大量多晶，特别HVPE法生长速度快，沉积明显。因此，外延生长完成后，在实现自剥离的过程中，由于受到边缘多晶的影响，生长的...
【技术保护点】
一种实现具有自剥离功能半导体材料生长的边缘保护方法，其特征在于，包括：在半导体生长衬底上制备自剥离插入层；在具有自剥离插入层的衬底上放置全覆盖衬底边缘的边缘保护环；在具有所述边缘保护环的衬底上生长氮化物半导体材料；待生长完成后，去除所述边缘保护环，得到自支撑氮化物衬底材料。
【技术特征摘要】
1.一种实现具有自剥离功能半导体材料生长的边缘保护方法，其特征在于，包括: 在半导体生长衬底上制备自剥离插入层； 在具有自剥离插入层的衬底上放置全覆盖衬底边缘的边缘保护环； 在具有所述边缘保护环的衬底上生长氮化物半导体材料； 待生长完成后，去除所述边缘保护环，得到自支撑氮化物衬底材料。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在具有自剥离插入层的衬底上放置全覆盖衬底边缘的边缘保护环前，还包括:对所述边缘保护环的内壁进行倒角和抛光处理，得到内壁光滑的边缘保护环。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述全覆盖衬底边缘的边缘保护环，具体为:所述边缘保护环的 内径小于所述衬底的直径、外径大于所述衬底的直径。4.如权利要求1至3任一项所述的方法，其特征在于，所述边缘保护环为石英环、蓝宝石环或者刚玉环。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述制备自剥离插入层，包括: 在衬底上生长一层氮化物薄膜； 在生长有所述氮化物薄膜的衬底上，...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐永宽，杨丹丹，张嵩，程红娟，李晖，徐所成，张丽，王迪，兰飞飞，张政，史月增，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十六研究所，
类型：发明
国别省市：
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