LED外延生长装置制造方法及图纸

LED外延生长装置，属于外延生长设备技术领域，炉筒的上、下两端分别连接炉盖和炉底，在炉盖上分别设氮气进气口、混合气体接入通道和若干氢气进气通道；在炉盖和环形石墨护罩之间夹持环形均温组件，于环形石墨护罩内，在环形均温组件下端布置冷却装置；在环形均温组件上开设氢气引入通道，氢气引入通道的上端与炉盖上的氢气进气通道连接，氢气引入通道的下端布置在小石墨基盘的上方；在炉筒内的炉底上设置排气口。本实用新型专利技术可控制反应室与炉盖之间的温度，当反应室内的温度与炉盖的温度差较小时，在冷却装置表面就不容易生长颗粒。可省去更换冷却装置的工作量，节省时间，提高外延生产效率和外延产品的质量。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于外延生长设备
，特别涉及在气相外延生长技术(MOCVD)反应室上盖温度的结构

技术介绍
近几年，LED外延生长技术不断更新，生产成本不断降低，良率不断提高，从而为LED普及千家万户，起到极大的推动作用。同吋，LED的发展也遇到一定的困难。为了生长出高质量的LED外延片，外延技术与设备不断的更新换代。在外延技术方面，很多专家学者不同推出新的结构，例如复合式DBR、应カ量子阱、倒装结构、表面粗化GaP等。在外延设备方面，MOCVD设备供应商有德国AIXTR0N公司、美国VEECO公司、日本酸素(NIPPON Sanso)和日新电机(Nissin Electric)等推出很多新型M0CVD。MOCVD反应室的上盖都设计冷却水、wafer温度探测器、MO源进气ロ等。外延生长过程中，为了生长出波长均匀性好、亮度高、晶格匹配度高的外延片。反应室内需要特定的压カ和温度下生长。但由于气体的流动、气体的分布、反应室内的温度、压カ的变化等因素的影响，反应室炉盖的温度具有一定的波动性，从而影响Al组分的均匀性、影响掺杂量、影响LED的亮度、电压、电流等方面。同时在外延生长过程中，在ceiling表面形成颗粒,这些颗粒依附在ceiling的表面，当这些颗粒长到一定程度,在气流的带动下脱落落在衬底表面。一方面脱落在衬底表面的颗粒影响气流均匀分布，使外延层生长不均匀。另ー方面脱落在衬底表面的颗粒，被高速的气流分开，扩散在外延片表面，影响晶体质量。颗粒所在的区域无法生长出正常外延层，因此该区域就不能用作为LED芯片。从而影响LED外延片的整体良率。专利技术内容本技术的目的在于解决现有技术的不足，提供一种反应温度可控的LED外延生长装置。本技术包括环形炉筒，在所述炉筒的上、下两端分别密封连接炉盖和炉底，在炉底中心通过动密封件连接竖向转轴，在炉筒内水平布置大石墨基盘，所述大石墨基盘的中心与所述竖向转轴固定连接，在所述大石墨基盘上表面布置若干小石墨基盘；在所述大石墨基盘的下方通过设置在炉底上的支架布置加热器，在所述加热器与大石墨基盘之间水平设置石英护罩，在所述石英护罩与所述炉筒之间布置环形石墨护罩，所述环形石墨护罩与所述炉筒同心布置，且环形石墨护罩与炉筒之间设置间隙；在炉盖中心连接氮气进气ロ，在炉盖上设置ー个混合气体接入通道和若干氢气进气通道；在炉盖和环形石墨护罩之间夹持环形均温组件，在所述环形均温组件内设置螺旋形气体通道，所述螺旋形气体通道的一端与所述混合气体接入通道的内端连接，所述螺旋形气体通道的另一端和所述环形石墨护罩与炉筒之间的间隙连通；于环形石墨护罩内，在所述环形均温组件下端布置冷却装置；在所述环形均温组件上开设氢气引入通道，所述氢气引入通道的上端与炉盖上的氢气进气、通道连接，氢气引入通道的下端布置在小石墨基盘的上方；在炉筒内的炉底上设置排气ロ。本技术的工作原理是将需外延加工的材料置于小石墨基盘上，通过转轴带动材料在石墨护罩内转动。将H2与N2通过质量流量控制器监测,在一定的总流量下,氢气与氮气通过质量流量控制器，使其达到特定值，然后通过炉盖上的混合气体接入通道进入环形均温组件内的螺旋形气体通道一端，在螺旋形气体通道的作用下由通道的另一端排出环形石墨护罩与炉筒之间的间隙，最后由炉底上的排气ロ排出。加热器产生的高温能量经石英护罩均温后向上依次由大石墨基盘、小石墨基盘作用于小石星基盘内的材料上。环形均温组件下端的冷却装置与环形均温组件内的混合气体共同调整石墨护罩内的温度达到外延エ艺需要的温度条件。由氮气进气ロ进入的氮气与由氢气进气ロ进入的氢气在由石墨护罩、炉盖和炉底围成的反应室内混合后形成外延エ艺需要的气体氛围。本技术可控制反应室与炉盖之间的温度，当反应室内的温度与炉盖的温度差较小时，在冷却装置表面就不容易生长颗粒。因此，可省去更换冷却装置的工作量，节省时间，提闻外延生广效率，也提闻外延广品的质量。为了使反应室内形成较好的密闭空腔，又为了使废气排出，本技术所述环形石墨护罩的上段为实心结构，下段为设有环形空腔的空心结构。本技术所述炉底上的排气ロ与所述环形石墨护罩下段的环形空腔连通。为了方便生产制作，本技术所述环形均温组件由两个等径的环形板组成，在其中一个环形板的ー个平面开设螺旋形气流槽，另ー个环形板同心布置在设有螺旋形气流槽的环形板上。同理，为了方便制作，本技术所述螺旋形气流槽的横截面为半圆形。本技术还在炉盖上开设热电偶接插ロ。通过热电偶的探測，能更加清晰地了解反应室与炉盖之间的温度，从而更加准确地控值温度值，获得最佳值。附图说明图I为本技术的一种结构示意图。图2为小石墨基盘和大石墨基盘组合示意图。图3为环形均温组件7的环形板7-1的结构示意图。图4为环形均温组件7的环形板7-2的结构示意图。图5为图I中A部局部放大图。具体实施方式一、LED外延生长装置结构如图I至5所示，本技术设有ー只圆环形炉筒11，在炉筒11的上、下两端分别密封连接炉盖I和炉底12。在炉底12中心通过动密封件19连接竖向转轴14，在炉筒11内水平布置大石墨基盘3，大石墨基盘3的中心与竖向转轴14固定连接，在大石墨基盘3上表面布置五个小石墨基盘2。在大石墨基盘3的下方通过固定在炉底12上的支架13布置加热器17，在加热器17与大石墨基盘3之间通过支架16水平设置环形的石英护罩18。在石英护罩18与炉筒11之间布置环形石墨护罩10，环形石墨护罩10与炉筒11同心布置，且环形石墨护罩10与炉筒11之间设置间隙。环形石墨护罩10的上段10-1为实心结构，下段10-2为设有环形空腔的空心结构。在炉盖I中心连接氮气进气ロ 5，在炉盖I上设置ー个混合气体接入通道4和ー排若干氢气进气通道9。在炉盖I和环形石墨护罩10上端之间夹持环形均温组件7。环形均温组件7由两个等径的环形板7-1和7-2组成.在环形板7-1的ー个平面开设螺旋形气流槽7-3，螺旋形气流槽7-3的横截面为半圆形。环形板7-2同心覆盖在设有螺旋形气流槽7-3的环形板7-1上，使环形板7-1和 7-2组成之间形成螺旋形气体通道。螺旋形气体通道的内端7-4与混合气体接入通道4的内端连接，螺旋形气体通道的外端7-5和环形石墨护罩10与炉筒11之间的间隙连通。于环形石墨护罩10内，在环形均温组件7下端布置冷却装置6。 在环形均温组件7上开设与氢气进气通道9对应的若干氢气弓I入通道7-6，各氢气引入通道7-6的上端分别与炉盖I上相应的氢气进气通道9连接，各氢气引入通道7-6的下端布置在小石墨基盘2的上方。在炉盖I上开设热电偶接插ロ 8。在炉筒11内的炉底12上对称开设两个排气ロ 15，各排气ロ 15分别与环形石墨护罩10下段10-2的环形空腔连通。ニ、操作过程MOCVD准备开始生长外延片，反应室达到一定的压カ吋，反应室的温度开始逐渐上升。氢气和氮气分别通过质量流量控制器混合后由混合气体接入通道4进入半圆形螺旋形气流槽7-3里面。通过热电偶探测测出相对温度，获得调节氢气和氮气混合流量比的相关信息。通过调节氢气和氮气混合流量比，能有效地保护反应室炉盖的温度的稳定性及炉盖与反应室的温度差。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1、LED外延生长装置，包括环形炉筒，在所述炉筒的上、下两端分别密封连接炉盖和炉底，在炉底中心通过动密封件连接竖向转轴，在炉筒内水平布置大石墨基盘，所述大石墨基盘的中心与所述竖向转轴固定连接，在所述大石墨基盘上表面布置若干小石墨基盘；在所述大石墨基盘的下方通过设置在炉底上的支架布置加热器，在所述加热器与大石墨基盘之间水平设置石英护罩，在所述石英护罩与所述炉筒之间布置环形石墨护罩，所述环形石墨护罩与所述炉筒同心布置，且环形石墨护罩与炉筒之间设置间隙；其特征在于在炉盖中心连接氮气进气ロ，在炉盖上设置ー个混合气体接入通道和若干氢气进气通道；在炉盖和环形石墨护罩之间夹持环形均温组件，在所述环形均温组件内设置螺旋形气体通道，所述螺旋形气体通道的一端与所述混合气体接入通道的内端连接，所述螺旋形气体通道的另一端和所述环形石墨护罩与炉筒之间的间隙连通；于环形石墨护罩内，在...

【专利技术属性】
技术研发人员：田宇，韩效亚，杜石磊，叶培飞，耿松涛，张双翔，张银桥，王向武，
申请(专利权)人：扬州乾照光电有限公司，
类型：实用新型
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