气体系统技术方案

本发明专利技术实施例提了一种气体系统，包括：设置有第一气体控制单元的第一气体管路，所述第一气体控制单元用于控制所述第一气体管路上的气体流量或气体压力；设置有第二气体控制单元的第二气体管路，所述第二气体控制单元用于控制所述第二气体管路上的气体压力；气体压力平衡控制单元，跨接于所述第一气体管路和第二气体管路之间，用于产生压力控制信号，该压力控制信号作为第二气体控制单元的输入信号，使得所述第二气体管路与所述第一气体管路的气体压力保持平衡，从而使得第一气体管路和第二气体管路的气体压力基本不会波动，使得反应腔室的源气体的浓度以及质量的稳定，提高了外延工艺的稳定性和重复性，改善了形成的外延材料层的质量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及化学气相沉积(CVD)
，特别涉及用于化学气相沉积的气体系统。
技术介绍
MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition)工艺是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。它以III族、II族元素的有机化合物和V、VI族元素的氢化物等作为晶体生长的源材料，以热分解反应方式在基座上进行气相外延，生长各种II1-V族、I1-VI族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。下面对现有的MOCVD工艺的原理进行说明。具体地，请参考图1所示的现有的MOCVD设备的结构示意图。外延沉积腔室10内形成有相对设置的喷淋头11和基座12。所述气体供给单元可以为喷淋头(Showerhead，SH)，该喷淋头内可以设置多个小孔。所述基座12上通常放置多片衬底121，所述衬底121的材质通常为价格昂贵的蓝宝石。所述基座12的下方还形成有加热单元13，所述加热单元13对所述衬底121进行加热，使得所述衬底121表面的温度达到外延工艺需要的温度。在进行MOCVD工艺时，源气体自喷淋头11的小孔进入衬底12上方的反应区本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种气体系统，其特征在于，包括：第一气体管路，设置有第一气体控制单元，所述第一气体控制单元用于控制所述第一气体管路上的气体流量或气体压力；第二气体管路，设置有第二气体控制单元，所述第二气体控制单元用于控制所述第二气体管路上的气体压力；气体压力平衡控制单元，跨接于所述第一气体管路和第二气体管路之间，用于采集所述第一气体控制单元和第二气体控制单元的信号，并且根据所述信号获得压力控制信号，所述压力控制信号作为第二气体控制单元的输入信号。

【技术特征摘要】
1.一种气体系统，其特征在于，包括: 第一气体管路，设置有第一气体控制单元，所述第一气体控制单元用于控制所述第一气体管路上的气体流量或气体压力； 第二气体管路，设置有第二气体控制单元，所述第二气体控制单元用于控制所述第二气体管路上的气体压力； 气体压力平衡控制单元，跨接于所述第一气体管路和第二气体管路之间，用于采集所述第一气体控制单元和第二气体控制单元的信号，并且根据所述信号获得压力控制信号，所述压力控制信号作为第二气体控制单元的输入信号。2.如权利要求1所述的气体系统，其特征在于，所述第一气体控制单元为质量流量控制器或压力控制器。3.如权利要求1所述的气体系统，其特征在于，所述第二气体控制单元包括串联的质量流量控制器和压力控制器，所述质量流量控制器位于所述压力控制器的上游，所述压力控制信号作为所...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶芷飞，梁秉文，
申请(专利权)人：光达光电设备科技嘉兴有限公司，
类型：发明
国别省市：