【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及用于制备II1-V族化合物半导体的装置，特别涉及到用于金属有机化学气相沉积设备的反应室进气装置。
技术介绍
金属有机化学气相沉积设备简称MOCVD设备,是外延制备化合物半导体材料的设备，由于其外延晶体质量高、稳定性好、界面陡峭，被广泛用于制备光电子、微电子材料生产，尤其在LED产业应用最多。MOCVD反应室的匀气混气装置是设备的核心设计技术，不同种类气体从反应室进气顶盘进入反应室，在衬底表面反应沉积，形成外延层，反应气体的浓度均匀性和反应生成杂质程度决定了材料的组份均匀性和晶体质量，既要充分混合又要避免严重预反应，因此混合均匀和预反应是一对矛盾。反应气体提前混合均匀则容易实现浓度均匀的反应气氛，实现材料的组份均匀性，同时提前混合将增大预反应，容易产生杂质和源的浪费。目前应用的MOCVD设备不同反应气体进入反应室内之前均是采用隔离方式，为了达到混合均匀性，匀气孔或狭缝排布密集，工艺复杂。在材料外延制备中，有些工艺反应物气体可以预混合后进入反应室参加反应，有些工艺则需要气体完全隔离进入反应室。基于此本专利技术提供了一种反应室进气装置，可以实现预混合后进...
【技术保护点】
一种用于金属有机化学气相沉积设备的反应室进气装置，包括：一筒体；一水冷匀气板，该水冷匀气板制作在筒体内；一上盖板，该上盖板固定在筒体上，该上盖板与水冷匀气板之间形成一进气腔室；一气体隔离装置，该气体隔离装置固定在上盖板上，该气体隔离装置是将进气腔室隔离成至少两个进气腔室或使之连通。
【技术特征摘要】
1.一种用于金属有机化学气相沉积设备的反应室进气装置，包括: 一筒体； 一水冷匀气板，该水冷匀气板制作在筒体内； 一上盖板，该上盖板固定在筒体上，该上盖板与水冷匀气板之间形成一进气腔室； 一气体隔离装置，该气体隔离装置固定在上盖板上，该气体隔离装置是将进气腔室隔离成至少两个进气腔室或使之连通。2....
【专利技术属性】
技术研发人员：冉军学，胡强，胡国新，梁勇，熊衍凯，王军喜，曾一平，李晋闽，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。