芯片封装结构的制作方法技术

本发明专利技术涉及一种芯片封装基板，其包括：助焊层，第一导电线路层、导电柱与防焊层，所述防焊层包括多个第一开口，所述助焊层与所述第一导电线路层均形成在多个所述第一开口中，所述第一导电线路层形成在所述助焊层的表面，所述导电柱形成于所述第一导电线路层的表面，并向远离所述第一导电线路层的表面延伸。本发明专利技术还提供一种芯片封装结构及一种芯片封装结构的制作方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种芯片封装基板、芯片封装结构及其制作方法。
技术介绍
芯片封装基板由于可为芯片提供电连接、保护、支撑、散热、组装等功效，在电子产品中得到广泛的应用。随着电子产品的轻薄化发展，芯片封装基板也日益轻薄化。芯片封装结构包括芯片封装基板以及设置在芯片封装基板上的芯片。然而，提供一种轻薄化的芯片封装基板是本领域的技术人员函待解决的课题。
技术实现思路
有鉴于此，有必要提供一种能解决上述问题的芯片封装基板、芯片封装结构及其制作方法。一种芯片封装基板，其包括：助焊层，第一导电线路层、导电柱与防焊层，所述防焊层包括多个第一开口，所述助焊层与所述第一导电线路层均形成在多个所述第一开口中，所述第一导电线路层形成在所述助焊层的表面，所述导电柱形成于所述第一导电线路层的表面，并向远离所述第一导电线路层的表面延伸。一种芯片封装结构，其包括：芯片封装基板与芯片；所述芯片封装基板其包括助焊层，第一导电线路层、导电柱与防焊层，所述防焊层包括多个第一开口，所述助焊层与所述第一导电线路层均形成在多个所述第一开口中，所述第一导电线路层形成在所述助焊层的表面，所述导电柱形成于所述第一导电线路层的表面并向远离所述第一导电线路层的表面延伸，所述芯片与所述助焊层电性连接。一种芯片封装结构的制作方法，包括步骤：提供双面覆铜基板，所述双面覆铜基板包括绝缘层、位于绝缘层相背两个表面的第一金属层与第二金属层；在所述第一金属层表面形成防焊层，所述防焊层包括多个第一开口，第一开口裸露出部分所述第一金属层；在所述第一开口中形成助焊层，在助焊层表面形成第一导电线路层，在所述第一导电线路层的远离所述第一金属层的表面形成导电柱；在双面覆铜基板中从第二金属层向第一金属层的方向形成第三开口，所述第三开口裸露出部分防焊层与所述第一导电线路层；在所述助焊层表面设置一芯片，形成所述芯片封装结构。与现有技术相比较，本专利技术提供的芯片封装基板与芯片封装结构的制作方法，将第一导电线路层形成在所述防焊层中的第一开口之间，降低了芯片封装结构的厚度，还有利于导电线路的细线路制作。附图说明图1是本专利技术第一实施方式提供的双面覆铜基板的剖面示意图。图2是图1中的在第一金属层上形成防焊层及在第二金属层上形成第一阻挡层的剖面示意图。图3是在第一金属层表面形成金层的剖面示意图。图4是在图4的基础上形成镍层的剖面示意图。图5是在图5的基础上形成内层线路层的剖面示意图。图6是在所述防焊层的表面形成第三阻挡层，及在所述第二金属层表面的所述铜层的表面形成第四阻挡层的剖面示意图。图7是在所述导线线路层的表面形成导电柱的剖面示意图。图8是对图7形成的所述导电柱进行研磨后的剖面示意图。图9是移除第三阻挡层与第四阻挡层的剖面示意图。图10是在图9的基础上形成模塑材料的剖面示意图。图11是对图10所述的模塑材料进行研磨后的剖面示意图。图12是在所述铜层及所述模塑材料表面形成第四阻挡层的剖面示意图。图13是在图12的基础上在所述第二金属层上形成开口暴露所述金层的剖面示意图。图14是移除所述第四阻挡层的剖面示意图。图15是在图14的基础上设置芯片得到的芯片封装结构的剖面示意图。主要元件符号说明芯片封装基板100双面覆铜基板10绝缘层11第一金属层12第二金属层13贯通孔14防焊层21第一阻挡层22第一开口210助焊层31金层32镍层33铜层35第一导电线路层34第二导电线路层36导电柱44第二阻挡层41第三阻挡层42第二开口410芯片承载单元50模塑材料45第三开口51第四阻挡层61芯片70焊球71键合导线72芯片封装结构200底面211上表面212导电孔15线路基板101封装胶体73如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本专利技术。具体实施方式下面将结合附图及实施例对本技术方案提供的芯片封装基板、芯片封装结构及其制作方法作进一步的详细说明。本技术方案第一实施方式提供的芯片封装基板100的制作方法，包括步骤：第一步，请参阅图1，提供一个双面覆铜基板10。所述双面覆铜基板10包括绝缘层11、分别位于绝缘层11相背两个表面的第一金属层12与第二金属层13、及至少一个贯通孔14。所述第一金属层12与所述第二金属层13的材质可以为铜、铁或者黄铜等。在本实施方式中，所述第一金属层12与所述第二金属层13的材质为铜。第二步，请参阅图2-5，形成第一导电线路层34与第二导电线路层36。其中形成所述第一导电线路层34与第二导电线路层36包括步骤：首先，对双面覆铜基板10进行清洗，去除其表面及贯通孔14内壁的污渍，以利于后续步骤的进行。其次，请参阅图2，在所述第一金属层12表面形成防焊层21，在第二金属层13表面形成第一阻挡层22。所述防焊层21通过曝光显影制程形成多个第一开口210，从而从第一开口210处裸露出部分所述第一金属层12。所述第一阻挡层22完全覆盖第二金属层13。所述防焊层21为防焊绿漆(SolderMask)，其厚度为约30um，所述第一阻挡层22为阻焊干膜(Dryfilm)。当然，所述第一阻挡层22也可以替换为低粘性(即容易去除)的覆盖膜、胶带等遮挡物。再其次，请一并参阅图3-4，在所述第一开口210露出的第一金属层12上镀上助焊层31。该助焊层31选自电镀镍层、电镀金层、无电镀镍化金层(electrolessNi/Au)、浸镀银(immersionsilver)、浸镀锡(immersiontin)。在本实施方式中，所述助焊层31包括电镀金层32与电镀镍层33，所述金层32位于所述第一金属层12的表面，所述镍层33位于所述金层32的表面。所述金层32的厚度约为0.3um。紧接着，请参阅图5，去掉所述第一阻挡层22，在所述贯通孔14的孔壁、所述镍层33的表面、及所述第二金属层13的表面电镀一层铜层，位于镍层33表面的铜层形成所述的第一导电线路层34，所述第二金属层13表面的铜层35及所述第二金属层13共同形成第二导电线路层36，所述第二导电线路层36用于实现芯片封装结构的增层。其中，所述第一导电线路层34与所述防焊层21保持平齐。此步骤实现了将第一导电线路层34形成在了防焊层21所形成的第一开口210中。本专利技术中的防焊层21指的是防焊绿漆，由于防焊绿漆材料的分子较小，分子间的间隙小于10um,将第一导电线路层34嵌设置于防焊层21的第一开口中，从而也可以使第一导电线路层34的导电线路的粗细降到10um，也即有利于细线路的制作。所述贯通孔14的内壁被电镀铜层，用于实现绝缘层11相背两个表面的第一金属层12与第二金属层13的电性导通。在本实施方式中，由于所述第一金属层12及第二金属层13覆盖于所述绝缘层11的整个表面，所以所述第一金属层12及第二金属层13可以作为电流传导的路径，所以助焊层31以及在所述助焊层31之上电镀的第一导电线路层34与第二导电线路层36均可以利用无电镀导线(Bussless)电镀的方式形成，也即无需额外设置电镀导线就可以实现电镀助焊层31与第一导电线路层34。第三步，请参阅图6-9，在所述第一导电线路层34的表面形成多个导电柱44。其中形成所述导电柱44包括步骤：首先，请参阅图6，在所述防焊层21的表面及部分所述第一导电线路层34的表面形成第二阻挡层41，及在所述第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芯片封装基板，其包括：助焊层，第一导电线路层、导电柱与防焊层，所述防焊层包括多个第一开口，所述助焊层与所述第一导电线路层均形成在多个所述第一开口中，所述第一导电线路层形成在所述助焊层的表面，所述导电柱形成于所述第一导电线路层的表面，并向远离所述第一导电线路层的表面延伸。

【技术特征摘要】
1.一种芯片封装基板，其包括：助焊层，第一导电线路层、导电柱与防焊层，所述防焊层包括多个第一开口，所述助焊层与所述第一导电线路层均形成在多个所述第一开口中，所述第一导电线路层形成在所述助焊层的表面，所述导电柱形成于所述第一导电线路层的表面，并向远离所述第一导电线路层的表面延伸。2.如权利要求1所述的芯片封装基板，其特征在于，所述芯片封装基板还包括模塑材料，所述模塑材料形覆盖部分所述第一导电线路层且包覆所述导电柱，所述导电柱远离所述第一导电线路层的表面的与所述模塑材料相齐平。3.如权利要求2所述的芯片封装基板，其特征在于，所述封装基板还包括线路基板，所述线路基板包括位于防焊层表面的第一金属层，位于第一金属层表面的绝缘层以及第二导电线路层，所述绝缘层中设置有导电孔，所述导电孔导通第一金属层与第二导电线路层，所述线路基板包括一个第三开口，所述第三开口暴露所述助焊层与部分所述防焊层，所述第三开口的位置设置芯片。4.如权利要求3所述的芯片封装基板，其特征在于，所述助焊层包括金层与镍层，所述第三开口暴露所述金层与部分所述防焊层，所述第一导电线路层形成在所述镍层的表面。5.一种芯片封装结构，其包括：芯片封装基板与芯片；所述芯片封装基板其包括助焊层，第一导电线路层、导电柱与防焊层，所述防焊层包括多个第一开口，所述助焊层与所述第一导电线路层均形成在多个所述第一开口中，所述第一导电线路层形成在所述助焊层的表面，所述导电柱形成于所述第一导电线路层的表面并向远离所述第一导电线路层的表面延伸，所述芯片与所述助焊层电性连接。6.如权利要求5所述的芯片封装结构，其特征在于，所述芯片封装基板还包括模塑材料，所述模塑材料形覆盖部分所述第一导电线路层且包覆所述导电柱，所述导电柱远离所述第一导电线路层的表面的与所述模塑材料相齐
\t平。7.如权利要求6所述的芯片封装结构，其特征在于，所述模塑材料的热膨胀系数与所述芯片的热膨胀系数相接近。8.如权利要求6所述的芯片封装结构，其特征在于，所述封装基板还包括线路基板，所述线路基板包括位于防焊层表面的第一金属层，位于第一金属层表面的绝缘层以及第二导电线路层，所述绝...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄昱程，禹龙夏，
申请(专利权)人：碁鼎科技秦皇岛有限公司，臻鼎科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：河北;13