封装结构制造技术

本发明专利技术是关于一种封装结构，其包括：一第一基板及一第二基板。该第一基板的该等第一导电元件的第一截面积具有一第一长轴及一第一短轴。该第二基板的该等第二导电元件的第二截面积具有一第二长轴及一第二短轴，每一该等第二导电元件的第二长轴与相对应的每一该等第一导电元件的第一长轴形成一大于0度的夹角，该第一截面积及该第二截面积形成一重迭区域。当二基板对位连接时，若具有偏移量，本发明专利技术的封装结构的重迭区域面积的一致性较佳。并且，若偏移量增加，本发明专利技术封装结构的重迭区域面积较已知技术的重迭区域面积大，显示本发明专利技术封装结构对于偏差量具有更高容忍度。

【技术实现步骤摘要】
封装结构
本专利技术是关于一种封装结构。
技术介绍
参考图1，其显示已知基板的对位连接示意图。已知第一基板11及第二基板12在对位连接过程中，因二基板对位不准，将造成第一基板11的导电柱111不能与第二基板12的导电柱121顺利电性连接。另外，在基板本身制作上，导电柱间的距离可能因误差造成距离不一的情形，在二基板对位连接时，可能造成二基板的导电柱不能顺利电性连接。再者，若两基板之间存在热膨胀系数(CTE)的差异或是两基板加热的温度不同，于基板加热时，因为热胀的影响，造成基板的导电柱对接时的偏移，特别是在基板角落的导电柱更为明显，如此也可能造成二基板的导电柱存在不能顺利电性连接的问题。
技术实现思路
本揭露的一方面是关于一种封装结构。在一实施例中，该封装结构包括：一第一基板、一第二基板及封胶。该第一基板包括一第一基板本体、数个第一导电垫及数个第一导电元件，该第一基板本体具有一第一表面，该等第一导电垫设置于该第一表面，该等第一导电元件分别形成于该等第一导电垫上，且突出该第一表面，该等第一导电元件具有一第一截面积，该第一截面积平行于该第一表面且该第一截面积具有一第一长轴及一第一短轴。该第二基板包括一第二基板本体、数个第二导电垫及数个第二导电元件，该第二基板本体具有一第二表面，面对该第一基板的该第一表面，该等第二导电垫设置于该第二表面，该等第二导电元件分别形成于该等第二导电垫上，且突出该第二表面；该第二基板的该等第二导电元件与该第一基板的该等第一导电元件相连且电性连接，该等第二导电元件具有一第二截面积，该第二截面积平行于该第二表面且该第二截面积具有一第二长轴及一第二短轴，每一该等第二导电元件的第二长轴与相对应的每一该等第一导电元件的第一长轴形成一大于0度的夹角，该第一截面积及该第二截面积形成一重迭区域。封胶设置于该第一基板及该第二基板之间。本揭露的一方面是关于一种封装结构。在一实施例中，该封装结构包括：一第一基板、一第二基板、一芯片及封胶。该第一基板包括一第一基板本体及数个第一导电元件，该第一基板本体具有一第一表面，该等第一导电元件分别突出该第一表面，该等第一导电元件具有一第一截面积，该第一截面积平行于该第一表面，且该第一截面积具有一第一长轴及一第一短轴。该第二基板包括一第二基板本体及数个第二导电元件，该第二基板本体具有一第二表面，面对该第一基板的该第一表面；该等第二导电元件分别突出该第二表面，该第二导电元件与该第一导电元件相连且电性连接，该等第二导电元件具有一第二截面积，该第二截面积平行于该第二表面且该第二截面积具有一第二长轴及一第二短轴，每一该等第二导电元件的第二长轴与相对应的每一该等第一导电元件的第一长轴形成一大于0度的夹角，该第一截面积及该第二截面积形成一重迭区域。该芯片位于该第一基板与第二基板之间，并电性连接该第一基板，其中该等第一导电元件及该等第二导电元件围绕该芯片外。封胶设置于该第一基板及该第二基板之间。当二基板对位连接时，若第一导电元件与第二导电元件之间具有偏移量，本专利技术的封装结构的重迭区域面积的一致性较佳。并且，若偏移量增加，本专利技术封装结构的重迭区域面积较已知技术的重迭区域面积大，显示本专利技术封装结构对于偏差量具有更高容忍度，此外，两基板之间存在较高偏移量时，由于本专利技术封装结构的第一导电元件与第二导电元件之间的重迭区域面积较大，因此本专利技术第一导电元件与第二导电元件之间具有较高的接合可靠度。附图说明图1显示已知基板的对位连接示意图；图2显示本专利技术封装结构的一实施例的示意图；图3显示本专利技术第一基板的一实施例的上视示意图；图4显示本专利技术第二基板的一实施例的上视示意图；图5显示本专利技术第一基板及第二基板对位连接后的一实施例的示意图；图6显示本专利技术封装结构的一实施例的一局部放大示意图；图7显示本专利技术第一基板及第二基板对位连接后的另一实施例的示意图；图8显示本专利技术封装结构的另一实施例的一局部放大示意图；图9显示本专利技术封装结构的一实施例的一侧面示意图；图10显示本专利技术封装结构的又一实施例的示意图；及图11显示本专利技术封装结构的又一实施例的一局部放大示意图。具体实施方式图2显示本专利技术封装结构的一实施例的示意图。图3显示本专利技术第一基板的一实施例的上视示意图。图4显示本专利技术第二基板的一实施例的上视示意图。图5显示本专利技术第一基板及第二基板对位连接后的一实施例的示意图。配合参考图2至图5，在本实施例中，该封装结构20包括：一第一基板30、一第二基板40及封胶50。该第一基板30包括一第一基板本体31、数个第一导电垫32、33及数个第一导电元件35、36。该第一基板本体31具有一第一表面311，该等第一导电垫32、33设置于该第一表面311，该等第一导电元件35、36分别形成于该等第一导电垫32、33上，该等第一导电元件35、36设置于该第一基板30的至少一侧边的一角落区段51（如图3虚线框），且突出该第一表面311，在本实施例中，该等第一导电元件35、36为导电柱体。该等第一导电元件35、36具有一第一截面积，以第一导电元件35为例说明，第一导电元件35具有一第一截面积351，该第一截面积351平行于该第一表面311且该第一截面积351具有一第一长轴352及一第一短轴353。该第一长轴352的长度大于该第一短轴353的长度。该第一导电元件35的该第一截面积351是呈椭圆形，在其他实施例，该第一截面积可为长方形、菱形或其他具有长轴及短轴的形状。该第二基板40包括一第二基板本体41、数个第二导电垫42、43及数个第二导电元件45、46。该第二基板本体41具有一第二表面411，面对该第一基板31的该第一表面311，该等第二导电垫42、43设置于该第二表面411，该等第二导电元件45、46分别形成于该等第二导电垫42、43上，该等第二导电元件45、46设置于该第二基板40的至少一侧边的一角落区段53（如图4虚线框），且突出该第二表面411。在本实施例中，该等第二导电元件45、46为导电柱体，在本实施例中，该等第二导电元件与第一导电元件具有相同的形状及相同的截面积，在其他实施例中，第一导电元件及第二导电元件可为不同形状或不同截面积。该第二基板40的该等第二导电元件45、46电性连接该第一基板30的该等第一导电元件35、36，该等第二导电元件45、46具有一第二截面积，以第二导电元件45为例说明，第二导电元件45具有一第二截面积451，该第二截面积451平行于该第二表面411且该第二截面积451具有一第二长轴452及一第二短轴453，每一该等第二导电元件45的第二长轴452与相对应的每一该等第一导电元件35的第一长轴352形成一大于0度的夹角θ，根据一实施例，夹角θ为90度，该第一截面积351及该第二截面积451形成一重迭区域455。封胶50设置于该第一基板30及该第二基板40之间。本专利技术的封装结构20另包括一芯片21，位于该第一基板30与第二基板40之间，并电性连接该第一基板30。在本实施例中，该芯片21设置于该第一基板30上，且该等第一导电元件35、36及该等第二导电元件45、46围绕该芯片21外。另外，该第一基板30及该第二基板40不含任何主动元件（如主动芯片或主动线路），例如一印刷电路板(PrintedCircuitB本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种封装结构，其特征在于，包括：一第一基板，包括一第一基板本体、数个第一导电垫及数个第一导电元件，该第一基板本体具有一第一表面，所述第一导电垫设置于该第一表面，所述第一导电元件分别形成于所述第一导电垫上，且突出该第一表面，所述第一导电元件具有一第一截面积，该第一截面积平行于该第一表面且该第一截面积具有一第一长轴及一第一短轴；一第二基板，包括一第二基板本体、数个第二导电垫及数个第二导电元件，该第二基板本体具有一第二表面，面对该第一基板的该第一表面，所述第二导电垫设置于该第二表面，所述第二导电元件分别形成于所述第二导电垫上，且突出该第二表面；该第二基板的所述第二导电元件与该第一基板的所述第一导电元件相连且电性连接，所述第二导电元件具有一第二截面积，该第二截面积平行于该第二表面且该第二截面积具有一第二长轴及一第二短轴，每一所述第二导电元件的第二长轴与相对应的每一所述第一导电元件的第一长轴形成一大于0度的夹角，该第一截面积及该第二截面积形成一重迭区域；及封胶，设置于该第一基板及该第二基板之间。

【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：一第一基板，包括一第一基板本体、数个第一导电垫及数个第一导电元件，该第一基板本体具有一第一表面，所述第一导电垫设置于该第一表面，所述第一导电元件分别形成于所述第一导电垫上，且突出该第一表面，所述第一导电元件具有一第一截面积，该第一截面积平行于该第一表面且该第一截面积具有一第一长轴及一第一短轴；一第二基板，包括一第二基板本体、数个第二导电垫及数个第二导电元件，该第二基板本体具有一第二表面，面对该第一基板的该第一表面，所述第二导电垫设置于该第二表面，所述第二导电元件分别形成于所述第二导电垫上，且突出该第二表面；该第二基板的所述第二导电元件与该第一基板的所述第一导电元件相连且电性连接，所述第二导电元件具有一第二截面积，该第二截面积平行于该第二表面且该第二截面积具有一第二长轴及一第二短轴，每一所述第二导电元件的第二长轴与相对应的每一所述第一导电元件的第一长轴形成一大于0度的夹角，该第一截面积及该第二截面积形成一重迭区域；及封胶，设置于该第一基板及该第二基板之间。2.如权利要求1的封装结构，其特征在于，该第一长轴与该第一短轴的比值不小于1.47，该第二长轴与该第二短轴的比值不小于1.47。3.如权利要求1的封装结构，其特征在于，二相邻第一导电元件间的距离为一间隔距离，当该第一导电元件与该第二导电元件存在偏移量为该间隔距离的五分之一的情形下，该重迭区域面积与偏移量为0的情形下的该重迭区域面积的比值不小于0.60。4.如权利要求1的封装结构，其特征在于，另包括一焊料，形成于所述第一导电元件及所述第二导电元件之间。5.如权利要求1的封装结构，其特征在于，该第一导电元件与该第二导电元件至少一个包含导电柱体。6.如权利要求1的封装结构，其特征在于，该第一导电元件与该第二导电元件的一为焊料。7.如权利要求1的封装结构，其特征在于，该第一长轴与该第一短轴相互垂直。8.如权利要求1的封装结构，其特征在于，该第一导电元件与相邻第一导电元...

【专利技术属性】
技术研发人员：田云翔，丁一权，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71