一种LED封装结构及其封装方法技术

本发明专利技术公开了一种LED封装结构及其封装方法，其中所述方法包括：将多个LED芯片贴附在基板上，其中所述LED芯片的出光面靠近所述基板设置；在所述基板上形成封装胶层，所述封装胶至少覆盖所述LED芯片的电极凸点的根部并露出所述电极凸点；在所述基板上设置所述LED芯片的一侧形成金属层；对所述金属层进行图案化，分别形成对应每个所述LED芯片电极凸点的金属焊盘；对所述基板进行裁切。根据本发明专利技术所述的LED芯片的封装方法制备LED封装结构可一次性获得整板的LED封装结构，生产效率高；并且无需拆除基板，封装工艺较简单、难度小；所得LED封装结构的基板层可作为LED芯片的保护层，防止LED芯片被磨损。

【技术实现步骤摘要】
一种LED封装结构及其封装方法
本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种LED封装结构及其封装方法。
技术介绍
LED(英文全称是LightEmittingDiode，译为发光二级管)是一种固态的半导体器件，它利用固体半导体芯片作为发光材料，通过载流子发生复合放出能量而引起光子发射，直接把电能转化为光能。LED具有亮度高、体积小、效率高和寿命长等优点，在交通指示、户外全色显示等领域有广泛的应用。倒装LED芯片以其低电压、大电流下的承受能力、高亮度、高可靠性、高饱和电流密度等特点，已成为被LED产业界普遍认可的新一代产品。如图1所示，1为n-GaN层，2为p-GaN层，3为MQWs层，4为蓝宝石层，5为p电极，6为p电极凸点，7为n电极，8为n电极凸点。其中，蓝宝石层4为倒装LED芯片的出光面，出光方向如图1中的箭头所示。中国专利文献CN105895785A公开了一种倒装LED芯片集成封装的光源组件结构及其制作方法，该方法首先将倒装LED芯片排列在柔性过渡基膜上，且倒装LED芯片的P、N电极面粘贴在柔性过渡基膜的带胶面一侧，形成倒装LED芯片阵列；然后在柔性过渡基膜上涂覆一定厚度的均匀的封装胶，对封装胶进行固化；再去除柔性过渡基膜，在固化后的封装胶上完成倒装LED芯片间电极的电性互连集成，形成电性互连集成的载体基片，进而在此基础上印刷导热绝缘胶并分割，得到光源组件。专利技术人发现，由于上述封装方式将倒装LED芯片粘贴在柔性过渡基膜上时，使得P、N电极面贴近柔性过渡基膜的带胶面一侧，因此导致在封装胶固化后必须拆除柔性过渡基膜，才能够在原先贴附柔性过渡基膜的表面实现倒装LED芯片间电极的电性互连集成。上述拆除柔性过渡基膜的步骤，增加了封装工艺的复杂性，还造成了柔性过渡基膜材料的浪费。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种LED封装结构及其封装方法，以解决现有封装工艺较复杂以及浪费材料的问题。根据第一方面，本专利技术实施例提供了一种LED芯片的封装方法，包括以下步骤：将多个LED芯片贴附在基板上，其中所述LED芯片的出光面靠近所述基板设置；在所述基板上形成封装胶层，所述封装胶至少覆盖所述LED芯片的电极凸点的根部并露出所述电极凸点；在所述基板设置所述LED芯片的一侧形成金属层；对所述金属层进行图案化，分别形成对应每个所述LED芯片电极凸点的金属焊盘；对所述基板进行裁切。可选地，所述金属层进行图案化步骤，还包括形成所述LED芯片上的散热焊盘，所述散热焊盘与同一LED芯片上的所述金属焊盘分离设置。可选地，还包括在所述基板表面涂覆荧光粉层的步骤。可选地，所述荧光粉层包括若干荧光粉单元，每个所述单元与所述LED芯片的出光面对应设置。可选地，形成所述荧光粉层的步骤包括：将荧光粉掺杂在粘合剂中，形成混合物；通过丝网印刷工艺将所述混合物印制在所述基板上。可选地，所述金属层进行图案化步骤包括：在所述金属层表面贴附干膜；通过曝光显影工艺对所述干膜图案化；以所述干膜为掩膜对所述金属层进行图案化。可选地，所述在所述基板上形成封装胶层步骤还包括：对所述封装胶层进行打磨处理，露出所述电极凸点。可选地，所述封装胶中掺有高导热材料和/或光阻材料。根据第二方面，本专利技术实施例提供了一种根据第一方面或第一方面任意一种可选实施方式所述的LED芯片的封装方法所制备的LED封装结构。本专利技术实施例所提供的LED芯片的封装方法，先将多个LED芯片贴附在基板上，其中LED芯片的出光面靠近基板设置，然后在基板上形成封装胶层，封装胶至少覆盖LED芯片的电极凸点的根部并露出电极凸点，再在基板上设置LED芯片的一侧形成金属层，对金属层进行图案化，分别形成对应每个LED芯片电极凸点的金属焊盘，最后对基板进行裁切，从而得到QFN封装的LED封装结构。根据本专利技术所述的LED芯片的封装方法制备LED封装结构可一次性获得整板的LED封装结构，生产效率高；并且无需拆除基板，封装工艺较简单、难度小；所得LED封装结构的基板层可作为LED芯片的保护层，防止LED芯片被磨损。附图说明通过参考附图会更加清楚的理解本专利技术的特征和优点，附图是示意性的而不应理解为对本专利技术进行任何限制，在附图中：图1示出了倒装LED芯片的结构示意图；图2示出了根据本专利技术实施例的一种LED芯片的封装方法的流程图；图3示出了基板的俯视图及多个LED芯片的排布方式；图4至图13示出了执行本专利技术实施例的一种LED芯片的封装方法各个步骤所得的产品侧面剖视图；图14示出了根据本专利技术实施例的一种LED芯片的封装方法所制备的LED封装结构的立体结构示意图；图15示出了根据本专利技术另一实施例的LED芯片的封装方法的流程图；附图标记表示为：10-基板、20-硅胶、30-荧光粉层、40-LED芯片、50-封装胶、60-金属层、70-干膜、80-干膜图案化、90-LED芯片电极凸点的金属焊盘、100-散热焊盘、110-LED芯片电极凸点的金属焊盘。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。实施例一图13示出了根据本专利技术实施例所制备的LED封装结构的侧面剖视图，图14示出了根据本专利技术实施例所制备的LED封装结构的立体结构示意图。该LED封装结构为QFN(QuadFlatNo-leadPackage，方形扁平无引脚封装)封装。该封装配置有电极触点，没有长引脚，贴装占有面积比QFP(PlasticQuadFlatPackage，方型扁平式封装技术)小，高度比QFP低。如图13所示，本专利技术实施例所制备的LED封装结构包括LED芯片40，该LED芯片40下方为透明基板10，该LED芯片40的四周被封装胶包覆(图中50所示)，该LED芯片40的上方为电极凸点的金属焊盘90和110，该LED芯片的上方还包括散热焊盘100。图2示出了根据本专利技术实施例的一种LED芯片的封装方法的流程图，用于封装出光面与电极凸点位于芯片相对的两个侧面的LED芯片，例如图1所示的倒装LED芯片，得到如图13所示的QFN封装的LED封装结构。需要说明的是，随着技术的进步，出光面与电极凸点位于芯片相对的两个侧面的LED芯片不限于倒装LED芯片，本专利技术所提供的方法也可以用于这些LED芯片。如图2所示，该LED芯片的封装方法包括以下步骤：S110：将多个LED芯片贴附在基板上，其中LED芯片的出光面靠近基板设置。图3示出了基板10的俯视图及多个LED芯片40的排布方式，其中，图中虚线框表示LED芯片40的放置位置。图6示出了基板10上贴附LED芯片40后的侧面剖视图。基板10为透明可透光材质，选自但不限于透明玻璃等。S120：在基板上形成封装胶层，封装胶至少覆盖LED芯片的电极凸点的根部并露出电极凸点。如图8所示，在S110所示的基板上涂覆封装胶，形成如50所示的封装胶层，LED芯片40被封装胶50所包覆，封装胶50的厚度至少覆盖LED芯片40的电极凸点的根部并露出电极凸点。图8中电极凸点位于封装胶层5本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED芯片的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：将多个LED芯片贴附在基板上，其中所述LED芯片的出光面靠近所述基板设置；在所述基板上形成封装胶层，所述封装胶至少覆盖所述LED芯片的电极凸点的根部并露出所述电极凸点；在所述基板上设置所述LED芯片的一侧形成金属层；对所述金属层进行图案化，分别形成对应每个所述LED芯片电极凸点的金属焊盘；对所述基板进行裁切。

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：将多个LED芯片贴附在基板上，其中所述LED芯片的出光面靠近所述基板设置；在所述基板上形成封装胶层，所述封装胶至少覆盖所述LED芯片的电极凸点的根部并露出所述电极凸点；在所述基板上设置所述LED芯片的一侧形成金属层；对所述金属层进行图案化，分别形成对应每个所述LED芯片电极凸点的金属焊盘；对所述基板进行裁切。2.根据权利要求1所述的LED芯片的封装方法，其特征在于，所述金属层进行图案化步骤，还包括形成所述LED芯片上的散热焊盘，所述散热焊盘与同一LED芯片上的所述金属焊盘分离设置。3.根据权利要求1或2所述的LED芯片的封装方法，其特征在于，还包括在所述基板表面涂覆荧光粉层的步骤。4.根据权利要求3所述的LED芯片的封装方法，其特征在于，所述荧光粉层包括若干荧光粉单元，每个所述单元...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹雯，侯峰泽，林挺宇，
申请(专利权)人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32