一种转接板结构、封装结构及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种转接板结构、封装结构及其制造方法。所述转接板结构呈H形，该结构包括第一转接板，第二转接板，第一互连结构，第二互连结构。利用所述转接板结构，构造一个封装结构。该封装结构包括所述转接板结构；第一组芯片，所述第一组芯片布置在第一凹槽内；第二组芯片，所述第二组芯片布置在第一转接板的第二表面；第三组芯片，所述第三组芯片布置在第二凹槽内；第三互连结构。本发明专利技术通过混合键合方式将转接板结构进行连接，形成H形的转接板结构，将不同组的芯片桥接起来，减小芯片占用空间的同时增大了芯片封装的密度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，特别涉及一种转接板结构、封装结构及其制造方法。

技术介绍

1、移动设备厂商对产品的小型化、低成本和高集成的需求，衍生出对相关芯片的晶圆级封装的成本、性能、系统级封装解决方案的集成度和功能性的要求。在系统级封装时，为了实现封装结构的功能，一个封装结构中经常会涉及几类异质芯片或者无源器件。基于垂直通孔互连等工艺的硅通孔(through silicon via，tsv)转接板，由于其具有全局互连短、延迟小、功耗低、高宽带、高集成度等优点,是系统级封装一个较好的方向。

2、目前现有tsv转接板大部分都是垂直互联，一般利用tsv转接板形成2.5d封装，把芯片封装到tsv转接板上，并使用tsv转接板上的重布线进行互连，通过现有的tsv转接板难以实现多层芯片堆叠的结构，而且不利于芯片散热。

技术实现思路

1、针对现有技术中的部分或全部问题，本专利技术提供一种转接板结构，所述转接板结构呈h形，该结构包括：

2、第一转接板，所述第一转接板包括第一衬底和位于第一衬底中的第一导电硅通孔本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种转接板结构，其特征在于，所述转接板结构呈H形，包括：

2.根据权利要求1所述的转接板结构，其特征在于，所述第一重布线层与所述第二重布线层键合，所述第一介质层与所述第二介质层键合。

3.一种封装结构，其特征在于，包括：

4.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述第一组芯片、所述第二组芯片和所述第三组芯片包含多个相同的芯片，或者多个同类型的芯片，或者多个不同类型的芯片。

5.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括：

6.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述第一塑封层、第二塑封层和第三塑...

【技术特征摘要】

1.一种转接板结构，其特征在于，所述转接板结构呈h形，包括：

2.根据权利要求1所述的转接板结构，其特征在于，所述第一重布线层与所述第二重布线层键合，所述第一介质层与所述第二介质层键合。

3.一种封装结构，其特征在于，包括：

4.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述第一组芯片、所述第二组芯片和所述第三组芯片包含多个相同的芯片，或者多个同类型的芯片，或者多个不同类型的芯片。

5.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括：

6.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：段明伟，
申请(专利权)人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：