一种微发光二极管的转移方法及微发光二极管显示面板技术

本发明专利技术公开了一种微发光二极管的转移方法及微发光二极管显示面板，微发光二极管的转移方法包括：提供目标基板；制备转移基板，转移基板包括多个间隔设置的凸起结构，凸起结构至少包括间隔设置的主凸起结构，主凸起结构包括承载面；转移微发光二极管至承载面，同一凸起结构的承载面承载至少两种发光颜色不同的微发光二极管；移动转移基板带动微发光二极管至目标基板的目标区域，并释放微发光二极管至目标区域。转移基板的同一凸起结构的承载面上承载至少两种发光颜色不同的微发光二极管，有效简化转移工艺，提升转移效率，同时主凸起结构的设置，提升微发光二极管与目标基板的键合良率，进而保证后续显示面板的制备效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示，尤其涉及一种微发光二极管的转移方法及微发光二极管显示面板。

技术介绍

1、微发光二极管(micro light emitting diode，micro led)是新一代显示技术，相较于oled(organic light emitting display，有机发光二极管)技术，micro led亮度更高、发光效率更好、但功耗更低，因此其市场前景备受看好。但由于制备工艺的限制，如何实现微发光二极管大量、精准的转移，成为目前微发光二极管显示面板制作的瓶颈。

技术实现思路

1、本专利技术提供了一种微发光二极管的转移方法及微发光二极管显示面板，以提高微发光二极管的巨量转移效率，保证巨量键合良率。

2、根据本专利技术的一方面，提供了一种微发光二极管的转移方法，包括：

3、提供目标基板；

4、制备转移基板，所述转移基板包括多个间隔设置的凸起结构，所述凸起结构至少包括间隔设置的主凸起结构，所述主凸起结构包括承载面；

5、转移微发光二极管至所述承载面，同一本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种微发光二极管的转移方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的微发光二极管的转移方法，其特征在于，所述凸起结构还包括与所述主凸起结构相邻设置的备份凸起结构，所述主凸起结构与所述备份凸起结构的高度相同。

3.根据权利要求2所述的微发光二极管的转移方法，其特征在于，制备转移基板，所述转移基板包括多个间隔设置的凸起结构，所述凸起结构至少包括间隔设置的主凸起结构，包括：

4.根据权利要求1所述的微发光二极管的转移方法，其特征在于，所述凸起结构还包括与所述主凸起结构相邻设置的备份凸起结构，所述主凸起结构的高度小于所述备份凸起结构的高度。

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【技术特征摘要】

1.一种微发光二极管的转移方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的微发光二极管的转移方法，其特征在于，所述凸起结构还包括与所述主凸起结构相邻设置的备份凸起结构，所述主凸起结构与所述备份凸起结构的高度相同。

3.根据权利要求2所述的微发光二极管的转移方法，其特征在于，制备转移基板，所述转移基板包括多个间隔设置的凸起结构，所述凸起结构至少包括间隔设置的主凸起结构，包括：

4.根据权利要求1所述的微发光二极管的转移方法，其特征在于，所述凸起结构还包括与所述主凸起结构相邻设置的备份凸起结构，所述主凸起结构的高度小于所述备份凸起结构的高度。

5.根据权利要求4所述的微发光二极管的转移方法，其特征在于，所述主凸起结构与所述备份凸起结构的高度差为h，其中，h≤5μm。

6.根据权利要求4所述的微发光二极管的转移方法，其特征在于，制备转移基板，所述转移基板包括多个间隔设置的凸起结构，所述凸起结构至少包括间隔设置的主凸起结构，包括：

7.根据权利要求4所述的微发光二极管的转移方法，其特征在于，制备转移基板，所述转移基板包括多个间隔设置的凸起结构，所述凸起结构至少包括间隔...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭静涛，
申请(专利权)人：天马新型显示技术研究院厦门有限公司，
类型：发明
国别省市：

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