【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体集成电路制造领域,特别是涉及一种RFLDMOS隔离介质层深沟槽的刻蚀方法。
技术介绍
在RFLDMOS (射频横向扩散型金属氧化场效应管)隔离介质层工艺中,厚场氧工艺结合了单晶硅回刻和深沟槽刻蚀工艺,使用了氧化膜-氮化膜-氧化膜这种膜层结构,导致在深沟槽硬掩膜干法刻蚀过程中,在硅片边缘斜面处以及光刻对准标记内有介质膜残留,从而在深硅沟槽干法刻蚀后,在硅片边缘斜面和光刻对准标记内出现大量的硅尖刺,如图1、2所示,经过后续的湿法清洗后,在硅片的表面图形上就会形成大量的硅颗粒缺陷,这些缺陷导致工艺无法大量生产。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种RFLDMOS隔离介质层深沟槽的刻蚀方法,它可以避免深沟槽刻蚀后,在硅片边缘斜面和光刻对准标记内出现硅尖刺。为解决上述技术问题,本专利技术的RFLDMOS隔离介质层深沟槽的刻蚀方法,包括以下步骤I)在硅片的划片槽内刻蚀出零层光刻对准标记区;2)依次生长二氧化硅膜和氮化硅膜;3)单晶硅回刻,在厚场氧区的深沟槽区域上面形成单晶硅浅沟槽;4)淀积二氧化硅硬掩膜;5)用二氧化硅对氮化硅高选择比的硬掩膜干法刻蚀工艺,在单晶硅浅沟槽中形成深沟槽图形;6)用单晶硅对二氧化硅和氮化硅高选择比的干法刻蚀工艺,在厚场氧区形成深沟槽。本专利技术通过在硅片边缘斜面区和光刻对准标记中形成氧化膜-氮化膜-氧化膜叠层,并且在深沟槽硬掩膜刻蚀过程中使用氧化膜对氮化膜高选择比的工艺,在深沟槽干法刻蚀中使用单晶硅对氧化膜、氮化膜等介质膜高选择比的工艺,有效避免了深沟槽干法刻蚀过程中硅片边缘斜面区和光刻对准标记区域出现硅尖 ...
【技术保护点】
RFLDMOS隔离介质层深沟槽的刻蚀方法,其特征在于,包括以下步骤:1)在硅片的划片槽内刻蚀出零层光刻对准标记区;2)依次生长二氧化硅膜和氮化硅膜;3)单晶硅回刻,在厚场氧区的深沟槽区域上面形成单晶硅浅沟槽;4)淀积二氧化硅硬掩膜;5)用二氧化硅对氮化硅高选择比的硬掩膜干法刻蚀工艺,在单晶硅浅沟槽中形成深沟槽图形;6)用单晶硅对二氧化硅和氮化硅高选择比的干法刻蚀工艺,在厚场氧区形成深沟槽。
【技术特征摘要】
1.RFLDMOS隔离介质层深沟槽的刻蚀方法,其特征在于,包括以下步骤 1)在硅片的划片槽内刻蚀出零层光刻对准标记区; 2)依次生长二氧化硅膜和氮化硅膜; 3)单晶硅回刻,在厚场氧区的深沟槽区域上面形成单晶硅浅沟槽; 4)淀积二氧化硅硬掩膜; 5)用二氧化硅对氮化硅高选择比的硬掩膜干法刻蚀工艺,在单晶硅浅沟槽中形成深沟槽图形; 6)用单晶硅对二氧化硅和氮化硅高选择比的干法刻蚀工艺,在厚场氧区形成深沟槽。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述光刻对准标记区的深度为I 7KA。3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤2),所述二氧化硅膜的厚度为I00 500A,氮化硅膜的厚度为IA以上。4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤3),所述单晶硅浅沟槽的深度为4 1...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴智勇,肖胜安,
申请(专利权)人:上海华虹NEC电子有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。