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本发明公开了一种RFLDMOS隔离介质层深沟槽的刻蚀方法，包括步骤：1）刻蚀光刻对准标记区；2）生长氧化硅-氮化硅叠层；3）单晶硅回刻形成浅沟槽；4）淀积氧化硅；5）用氧化硅对氮化硅高选择比的硬掩膜干法刻蚀工艺，在单晶硅浅沟槽中形成深沟槽图...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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