一种半导体器件制造技术

提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：半导体衬底(300)；SiGe弛豫层(200)，位于所述半导体衬底(300)上；NMOS晶体管，位于该SiGe弛豫层(200)上；以及PMOS晶体管，位于SiGe弛豫层(200)上。其中该NMOS晶体管包括：拉应变外延层(260n)，位于SiGe弛豫层(200)上或者嵌入到SiGe弛豫层(200)中；以及PMOS晶体管包括：压应变外延层(260p)，位于SiGe弛豫层(200)上或者嵌入到SiGe弛豫层(200)中。在该器件中沟道的应力可以被较好地保持。还提供了一种用于形成应变半导体沟道的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹海洲，骆志炯，朱慧珑，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：
国别省市：