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提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：半导体衬底(300)；SiGe弛豫层(200)，位于所述半导体衬底(300)上；NMOS晶体管，位于该SiGe弛豫层(200)上；以及PMOS晶体管，位于SiGe弛豫层(200)上。其中该NMOS晶体...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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