一种CMOS图像传感器封装结构及其制造方法技术

一种CMOS图像传感器封装结构及其制造方法，属传感器领域。光学交互区位于硅衬底正面第一表面的中央，在光学交互区的上方形成有金属互连层，微镜头阵列放置在金属互联层上方，金属互联层外侧有第一保护层；在第一表面制作未穿透硅衬底的硅通孔和重分布层，光学交互区周围的I/O通过重分布层连接硅通孔；硅通孔孔壁上有作钝化层并填充；在重分布层上有第二保护层；硅衬底同玻璃片键合，玻璃片和硅衬底之间设空腔；硅衬底的第二表面减薄暴露出硅通孔；硅衬底第二表面上制作线路层将硅通孔连接到焊盘垫，线路层上制作防焊层并暴露出焊盘垫；焊球在焊盘垫上。本发明专利技术改善了封装结构中玻璃和硅衬底之间的分层问题，提高了可靠性，封装结构适合更大尺寸芯片。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体元器件制造
本专利技术提供了一种CMOS图像传感器封装结构以及所述CMOS图像传感器的制造方法。
技术介绍
图像传感器属于光电产业里的光电元件类。是一种半导体模块，是一种将光学图像转换成为电子信号的设备，电子信号可以被用来做进一步处理或被数字化后被存储，或用于将图像转移至另一显示装置上显示等。它被广泛应用在数码相机和其他电子光学设备中。图像传感器如今主要分为电荷耦合器件(CXD)和CMOS图像传感器(CIS，CMOS ImageSensor)。虽然C⑶图像传感器在图像质量以及噪声等方面优于CMOS图像传感器，但是CMOS传感器可用传统的半导体生产技术制造，生产成本较低。同时由于所用的元件数相对较少以及信号传输距离短，CMOS图像传感器具备功耗低、电容、电感和寄生延迟降低等优点。 与CXD图像传感器相比，CMOS图像传感器具有更方便的驱动模式并且能够实现各种扫描类型；同时，将信号处理电路(IC)集成到单个芯片中从而使得小型化CMOS图像传感器成为可能。此外，通过使用广泛兼容的CMOS技术，CMOS图像传感器有助于更低的功耗并降低制造成本。因此，CMOS图像本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种CMOS图像传感器封装结构，其特征在于：其包括硅衬底(200)，所述硅衬底(200)的正面为形成有微镜头(230)、金属互联层(220)和光学交互区(210)的第一表面(201)，所述硅衬底(200)的背面为第二表面(202)；其中光学交互区(210)位于硅衬底(200)正面第一表面(201)的中央，在光学交互区(210)的上方形成有金属互连层(220)，微镜头(230)阵列放置在金属互联层(220)上方，金属互联层(220)外侧形成有第一保护层(235)；通过在第一表面(201)制作未穿透硅衬底(200)的硅通孔(260)和重分布层，光学交互区(210)周围的I/O通过重分布层连接到硅通...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：秦飞，武伟，安彤，刘程艳，陈思，夏国峰，朱文辉，
申请(专利权)人：北京工业大学，
类型：发明
国别省市：