一种CMOS影像传感器光学增强结构及制备方法技术
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及CMOS影像传感器
，尤其涉及一种CMOS影像传感器光学增强结构及制备方法。
技术介绍
CMOS影像传感器由于其与CMOS工艺兼容的特点，从而得到快速发展。相对于CXD 工艺，其工艺完全与CMOS工艺兼容，其通过将光敏二极管和CMOS处理电路一起做在硅衬底上，从而在保证性能的基础上大幅度降低了成本，同时可以大幅度提高集成度，制造像素更闻的广品。传统CMOS影像传感器是使用正面光照的方法，将光敏二极管和CMOS处理电路一起做在硅衬底上使用同一层次实现，而芯片互连则制造在CMOS处理电路之上，光敏二极管之上为了光线的通过而不进行互连线的排步。然而，常规半导体材料的透光性较差，因此需要把光敏二极管上面的介质层次全部去除，并填充透光材料，以增强其光吸收。与此同时，随着像元尺寸减小，相邻像元之间的间距也随着急剧减小，入射光线可能会经过折射和多次反射才能进入相邻的像元，导致光学串扰的发生，便会引起像元的分辨率降低、芯片性能变差。因此，如如何减少相邻像元之间的光学串扰、增强入射光的量以提高像元分辨率和灵敏度是本领域的技术难点之一。
技术实现思路
本专利技术的目...
【技术保护点】
一种CMOS影像传感器光学增强结构，其特征在于：其包括硅衬底及其上的光敏元件和标准CMOS多层结构，该光敏元件上方具有形成透光空间的深沟槽，该深沟槽侧壁由金属反射层环绕，以反射入射到该金属反射层的光线。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：康晓旭，赵宇航，李铭，
申请(专利权)人：上海集成电路研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：
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