【技术实现步骤摘要】
固体摄像器件、固体摄像器件的制造方法和电子装置相关申请的交叉参考本申请包含与2011年9月16日向日本专利局提交的日本优先权专利申请JP2011-203337所公开的内容相关的主题,因此将该日本优先权申请的全部内容以引用的方式并入本文。
本专利技术涉及固体摄像器件、固体摄像器件的制造方法和电子装置,特别地,涉及能够获得更好的像素信号的固体摄像器件、固体摄像器件的制造方法和电子装置。
技术介绍
以往,诸如互补金属氧化物半导体(complementarymetaloxidesemiconductor,CMOS)和电荷耦合器件(chargecoupleddevice,CCD)等固体摄像器件被广泛应用于数码照相机和数码摄像机等。例如,进入CMOS摄像器件的光在像素的光电二极管(PD)中被光电转换。然后,PD中生成的电荷通过传输晶体管被传输至浮动扩散部(floatingdiffusion,FD)并且被转换成像素信号,其中被转换的像素信号的电平对应于接收的光量。顺便提及地,在现有CMOS摄像器件中,由于通常采用的方法以行为单位从像素中依次读取像素信号(所谓的卷帘式快门法),所 ...
【技术保护点】
一种固体摄像器件,其包括:半导体基板,其具有光电转换元件和电荷保持部,所述光电转换元件用于将入射光转换成电荷,所述电荷保持部用于临时保持由所述光电转换元件光电转换的所述电荷;以及遮光部,其具有埋入部,所述埋入部至少在所述半导体基板的位于所述光电转换元件与所述电荷保持部之间的区域中延伸。
【技术特征摘要】
2011.09.16 JP 2011-2033371.一种固体摄像器件,其包括:半导体基板,其具有光电转换元件和电荷保持部,所述光电转换元件用于将入射光转换成电荷,所述电荷保持部用于临时保持由所述光电转换元件光电转换的所述电荷;遮光部,其具有埋入部,所述埋入部至少在所述半导体基板的位于所述光电转换元件与所述电荷保持部之间的区域中延伸;以及配线层,其具有多层配线,其中,光从所述半导体基板的背侧进入所述光电转换元件,所述背侧与所述半导体基板的设置有所述配线层的前侧相反,并且所述遮光部还具有盖部,所述盖部在所述半导体基板的背侧布置成至少覆盖所述电荷保持部,光从所述背侧进入所述光电转换元件。2.根据权利要求1所述的固体摄像器件,其中,所述遮光部的所述埋入部形成为包围所述光电转换元件和所述电荷保持部。3.根据权利要求2所述的固体摄像器件,其中,在所述光电转换元件与所述电荷保持部之间的区域之外的区域中形成的所述埋入部贯穿所述半导体基板。4.根据权利要求2所述的固体摄像器件,其中,所述半导体基板还具有浮动扩散部,以及所述遮光部的所述埋入部形成为包围所述光电转换元件、所述电荷保持部和所述浮动扩散部。5.根...
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