红外图像传感器及其形成方法技术

一种红外图像传感器及其形成方法，包括：提供具有CMOS控制电路的衬底；在衬底上方形成像素结构、像素结构和控制电路电连接的插栓；像素结构和所述衬底之间还形成有第一牺牲层；还包括：形成具有第一开口的第二牺牲层，覆盖像素结构，第一开口位于插栓上方；在第二牺牲层上、第一开口的侧壁和底部形成支撑层；在支撑层中形成第二开口，通过第二开口去除第一牺牲层、第二牺牲层；去除第一牺牲层、第二牺牲层后，形成封盖层，覆盖支撑层、填满第一开口、第二开口，封盖层为对红外线的透射层；在封盖层和支撑层中形成第三开口，利用物理气相沉积工艺在第三开口中形成密封层，密封第三开口。本技术方案中的封盖工艺与传统的半导体工艺兼容。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，尤其涉及。
技术介绍
现有的红外图像传感器需要单独的封装工艺。图I为现有的红外图像传感器封装结构示意图，参考图I，在形成红外图像传感器10后，将红外图像传感器10放置在金属基座21上，然后在红外图像传感器10上设置温度控制部件(图中未示出)；之后利用锗窗22将金属基座21上的开口封闭，接着，对金属基座抽真空后，将金属基座密封，从而实现对红外图像传感器的封装工艺。然而，现有的红外图像传感器的形成工艺为标准的半导体工艺，上述封装工艺与半导体工艺不兼容。另外，现有的红外图像传感器的形成方法工艺复杂。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是现有的红外图像传感器的封装工艺与半导体工艺不兼容；以及，红外图像传感器的形成方法工艺复杂。为解决上述问题，本专利技术提供一种形成红外图像传感器的方法，包括提供具有CMOS控制电路的衬底；在所述衬底上方形成像素结构、所述像素结构和所述控制电路电连接的插栓；像素结构和所述衬底之间还形成有第一牺牲层；形成像素结构以及插栓之后，还包括 形成具有第一开口的第二牺牲层，覆盖所述像素结构，所述第一开口位于所述插栓上方；在所述第二牺牲层上、所述第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成红外图像传感器的方法，其特征在于，包括：提供具有CMOS控制电路的衬底；在所述衬底上方形成像素结构、所述像素结构和所述控制电路电连接的插栓；像素结构和所述衬底之间还形成有第一牺牲层；形成像素结构以及插栓之后，还包括：形成具有第一开口的第二牺牲层，覆盖所述像素结构，所述第一开口位于所述插栓上方；在所述第二牺牲层上、所述第一开口的侧壁和底部形成支撑层；在所述支撑层中形成第二开口，通过所述第二开口去除所述第一牺牲层、第二牺牲层；去除所述第一牺牲层、第二牺牲层后，形成封盖层，覆盖所述支撑层、填满所述第一开口、第二开口，所述封盖层为对红外线的透射层；在所述封盖层和支撑层中形成第三开口，之后利用物...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：毛剑宏，唐德明，张镭，
申请(专利权)人：上海丽恒光微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：