成像器件、成像装置、制造装置及制造方法制造方法及图纸

一种成像器件，包括：多个光电转换器件层，其中形成有执行入射光的光电转换的光电转换器件；以及夹在相应的光电转换器件层之间的布线层，其中形成有用于从光电转换器件中读取电荷的布线。

【技术实现步骤摘要】
成像器件、成像装置、制造装置及制造方法
本公开涉及一种成像器件、成像装置、制造装置和制造方法，具体地，本公开涉及一种能够更容易地获得更多种类型的图像的成像器件、成像装置、制造装置和制造方法。
技术介绍
由于红外光对于硅（Si）具有较长的穿透长度，因此当形成使用近红外光的高敏感度传感器时，需要延长硅中的光路长度。由于在距硅表面（光入射在硅表面上）更深的位置中发生光电转换，因此还需要形成用于存储通过光电转换获得的电子的势（potential）从而达到更深的位置。由于需要利用特高能量进行离子注入来在深位置中形成该势，因此在现有技术中存在增加开发或制造成本的风险。还需要开发抗蚀剂（resist）以对应于该势，这可能增加开发的难度等级。相应地，已经设计了一种通过从硅基板表面的前表面侧和背表面侧执行离子注入而形成能够充分地存储由红外光光电转换的电子的光电二极管的方法（一种不需要利用特高能量进行离子注入的方法）（例如，参考JP-A-2010-192483（专利文献1））。在该方法中，首先，通过从硅基板的前表面侧执行离子注入，在硅基板的表面上在与对应于可见光的图像传感器的深度近似相同的深度中形成光电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种成像器件，包括：多个光电转换器件层，其中形成有执行入射光的光电转换的光电转换器件；以及夹在相应的光电转换器件层之间的布线层，其中形成有用于从光电转换器件中读取电荷的布线。

【技术特征摘要】
2011.09.06 JP 2011-1938231.一种成像器件，包括：多个光电转换器件层，其中形成有执行入射光的光电转换的光电转换器件；以及夹在相应的光电转换器件层之间的布线层，其中形成有用于从光电转换器件中读取电荷的布线，其中多个光电转换器件层包括第一光电转换器件层和第二光电转换器件层；其中所述布线层包括第一布线层和第二布线层，第一布线层和第二布线层被夹在第一光电转换器件层和第二光电转换器件层之间，所述第一布线层从第一光电转换器件层读取电荷并且第二布线层从第二光电转换器件层读取电荷。2.如权利要求1所述的成像器件，其中，在相应的光电转换器件层中，光电转换器件执行入射光的彼此不同的波长带分量的光电转换。3.如权利要求2所述的成像器件，其中，在多个光电转换器件层中，在从光入射侧开始计数的第一层中的光电转换器件执行可见光的波长带分量的光电转换，在从光入射侧开始计数的第二层中的光电转换器件执行近红外光的波长带分量的光电转换。4.如权利要求2所述的成像器件，其中，在多个光电转换器件层中，在从光入射侧开始计数的第一层中的光电转换器件执行可见光的短波长带分量的光电转换，在从光入射侧开始计数的第二层中的光电转换器件执行可见光的长波长带分量的光电转换。5.如权利要求2所述的成像器件，其中，在相应各层中，光电转换器件的厚度彼此不同。6.如权利要求1所述的成像器件，其中，在相应各层中，光电转换器件的尺寸、形状和间隔中的至少一个不同。7.如权利要求1所述的成像器件，其中，多个层中的光电转换器件同时输出通过光电转换入射光而积累的电荷。8.如权利要求1所述的成像器件，其中，多个层中的光电转换器件在相应层中、在不同定时输出通过光电转换入射光而积累的电荷。9.如权利要求1所述的成像器件，其中，多个层中的光电转换器件通过输出光电转换入射光而积累的电荷，输出通过组合相应层中的图像而形成的组合图像。10.如权利要求1所述的成像器件，其中，在相应各层中，光电转换器件的电荷积累时间不同，在所述电荷积累时间期间通过光电转换入射光来积累电荷。11.如权利要求1所述的成像器件，其中，布置所述布线层中的布线，使得确保从布线层一侧到另一侧传输的入射光的光路。12.如权利要求11所述的成像器件，其中，在布线层中形成由比周围材料具有更高的光折射率的材料制成的波导。13.如权利要求11所述的成像器件，其中，依据入射光的入射角，布置所述布线层中的布线。14.如权利要求1所述的成像器件，其中，多个布线层的外部端子通过全通导孔彼此连接，在所述多个布线层中形成了用于从不同层的光电转换器件读取电荷的布线。15.一种成像器件，包括：彼此叠置的多个成像器件，每个具有一个光电转换器件层和一个布线层，在所述光电转换器件层中形成了执行入射光的光电转换的光电转换器件，在所述布线层中形成了从所述光电转...

【专利技术属性】
技术研发人员：大木进，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：