【技术实现步骤摘要】
能够降低不均匀亮度分布的LED阵列专利
本专利技术涉及半导体发光元件阵列以及使用这些半导体发光元件阵列的车辆用灯具。
技术介绍
对于在车辆头灯、照明设备等中使用的发光二极管(LED)元件而言,需要高功率。如果简单地放大元件的尺寸,则驱动电流变得太大,且变得难以使电流在元件中均匀地流动。因此,为了获得高功率LED,多个LED元件串联设置以形成LED阵列(例如,参照日本特开专利公报No.2001-156331)。在车俩头灯等的应用中,需要长方形(oblong)LED阵列。然而,LED元件的数量增加并不是优选的,因为元件之间的非发光区域的比例增加。因而LED阵列中的各个LED元件的形状变成长方形。图10A是示出常规LED阵列600的示意性平面图,图10B是图10A所示的LED阵列600的简化横截面图。一般而言,常规LED阵列600具有设置且串联连接在绝缘支撑基板上的4个氮化物半导体发光元件。在GaN基白光LED元件的情况下,在蓝宝石基板上形成LED结构,粘附支撑基板,分离蓝宝石基板,并形成电极。各个LED元件601具有由n型GaN层621、有源层622和p型GaN层62 ...
【技术保护点】
一种半导体发光元件阵列,其中,多个半导体发光元件被设置在第一方向较长的长方形基板上,所述多个半导体发光元件中的每一个包括:电极层,其形成在所述基板上;半导体发光层,其形成在所述电极层上,并且包括电连接到所述电极层的p型半导体层、形成在所述p型半导体层上的有源层和形成在所述有源层上的n型半导体层;第一布线层,其沿着所述半导体发光层的一个边形成并且平行于该边;以及多个第二布线层,其从所述第一布线层向所述半导体发光层延伸,并且电连接到所述半导体发光层的表面上的所述n型半导体层,其中,所述半导体发光层的平面形状包括与所述第一方向平行的上边和下边以及包括相对于与所述上边和所述下边垂直 ...
【技术特征摘要】
2011.09.02 JP 2011-191647;2011.09.12 JP 2011-19791.一种车辆用灯具,该车辆用灯具包括:至少两个半导体发光元件阵列,各个半导体发光元件阵列包括设置在第一方向较长的长方形基板上的多个半导体发光元件,所述多个半导体发光元件中的每一个包括:电极层,其形成在所述基板上;半导体发光层,其形成在所述电极层上,并且包括电连接到所述电极层的p型半导体层、形成在所述p型半导体层上的有源层和形成在所述有源层上的n型半导体层;第一布线层,其沿着所述半导体发光层的一个边形成并且平行于该边;以及多个第二布线层,其从所述第一布线层向...
【专利技术属性】
技术研发人员:宫地护,斋藤龙舞,原田光范,
申请(专利权)人:斯坦雷电气株式会社,
类型:发明
国别省市:
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