一种发光二极管芯片及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种发光二极管芯片及其制造方法，包括生长基板；两个以上发光二极管单元，形成于所述生长基板上，相邻的所述发光二极管单元之间通过深沟槽隔离；非金属导线，覆盖于所述深沟槽上，相邻的两个发光二极管单元通过所述非金属导线串联或并联；金属电极焊盘，形成于所述发光二极管芯片的最外围的发光二极管单元上。本发明专利技术所述发光二极管芯片采用非金属导线作为发光二极管单元之间的互连结构，相比于金属材料的导线厚度大且透光性差，所述非金属导线具有更好的透光性且厚度可以相对薄一些，且在高压驱动时，台阶拐角处不易出现熔断导致芯片失效的问题，从而不仅提高了有效的出光面积，同时提高了发光二极管芯片的稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种发光二极管芯片结构及制作方法，特别涉及一种具有发光二极管单元的发光二极管芯片及制作方法。
技术介绍
随着技术及效率的进步，发光二极管(LED)的应用越来越广，并且随着LED应用的升级，市场对于LED的需.求也朝更大功率及更高亮度——也就是通称的高功率LED的方向发展。对于高功率LED的设计，目前各大厂多采用大尺寸单颗低压直流LED，大尺寸单颗低压直流LED广泛采用两种结构一种为传统的水平结构，另一种则为垂直导电结构。所述水平结构的制程和一般小尺寸晶粒的制程几乎相同，具体地，水平结构和小尺寸晶粒两者的剖面结构是一样的。对于上游的芯片制程厂而言，传统的水平结构的工艺兼容性高，无需再添购新式或特殊机台，同时，对于下游系统厂而言，如电源方面的设计等等周边的搭配差异并不大。但有别于小尺寸晶粒，高功率LED常常需要在大电流之下工作， 因此在大尺寸LED上要将电流均匀扩散并不是件容易的事，尺寸愈大均匀扩散愈困难，并且由于几何效应的关系，P、N电极设计必须保持平衡，否则都会导致严重的电流丛聚效应 (Current crowding),结果除了会使得LED达不到设计所需的亮度外,也本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管芯片，其特征在于，包括：生长基板；两个以上发光二极管单元，形成于所述生长基板上，相邻的所述发光二极管单元之间通过深沟槽隔离；非金属导线，覆盖于所述深沟槽上，相邻的两个发光二极管单元通过所述非金属导线串联或并联；金属电极焊盘，形成于所述发光二极管芯片的最外围的发光二极管单元上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：金豫浙，张昊翔，封飞飞，万远涛，李东昇，江忠永，
申请(专利权)人：杭州士兰明芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：