存储装置及其制造方法制造方法及图纸

实施例的存储装置包括第1信号线、第2信号线、晶体管、存储区域、导通区域。晶体管分别控制第1信号线和第2信号线之间流过的第1方向的电流及与第1方向相反的第2方向的电流的导通。存储区域在第1信号线和晶体管的一端之间连接，具有第1平行阈值以上的电流流过第1方向时磁化方向成为平行，第1反平行阈值以上的电流流过第2方向时磁化方向成为反平行的第1磁隧道结元件。导通区域在第2信号线和晶体管的另一端之间连接。

【技术实现步骤摘要】
关联申请本申请以日本专利申请2011-194633号(申请日2011年9月7日)为基础申请， 享受优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。
实施例涉及。
技术介绍
磁阻存储器(MRAM Magnetoresistive Random Access Memory)是利用磁隧道结 (MTJ Magnetic Tunnel Junction)元件的电阻的变化进行信息的存储的非易失性存储器的一种。MTJ元件具有一对强磁性层和设置在该一对强磁性层间的隧道障壁层。MTJ元件是根据强磁性层的磁化方向中的平行、反平行的状态改变相对于流过隧道障壁层的隧道电流的电阻值的元件。基于这样的MRAM的存储装置中，期望制造步骤的进一步简化。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供在采用磁隧道结元件的构造中，可实现制造步骤的简化的。实施例的存储装置包括第I信号线、第2信号线、晶体管、存储区域、导通区域。晶体管分别控制第I信号线和第2信号线之间流过的第I方向的电流及与第I方向相反的第2方向的电流的导通。存储区域在第I信号线和晶体管的一端之间连接。另外，存储区域具有第I平行阈值以上的电流流过上述第I方向时本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储装置，其特征在于，包括：第1信号线；第2信号线；晶体管，分别控制上述第1信号线和上述第2信号线之间流过的第1方向的电流及与上述第1方向相反的第2方向的电流的导通；存储区域，在上述第1信号线和上述晶体管的一端之间连接，具有第1平行阈值以上的电流流过上述第1方向时磁化方向成为平行，第1反平行阈值以上的电流流过上述第2方向时磁化方向成为反平行的第1磁隧道结元件；在上述第2信号线和上述晶体管的另一端之间连接的导通区域。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：山中贵哉，首藤晋，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：