发光器件及发光器件封装件制造技术

本发明专利技术提供一种发光器件，包括：包括第一导电型第一半导体层、在第一导电型第一半导体层下的第一有源层、以及在第一有源层下的第二导电型第二半导体层的第一发光结构；在第一发光结构下的第一反射电极；包括第一导电型第三半导体层、在第一导电型第三半导体层下的第二有源层、以及在第二有源层下的第二导电型第四半导体层的第二发光结构；在第二发光结构下的第二反射电极；将第一发光结构的第一导电型第一半导体层电连接至第二反射电极的接触部；以及在接触部与第二导电型第二半导体层之间的第一绝缘离子注入层。

【技术实现步骤摘要】
发光器件及发光器件封装件
实施方案涉及一种发光器件、一种发光器件封装件以及一种照明装置。
技术介绍
发光二极管(LED)已经广泛地用作发光器件。LED利用化合物半导体的特性将电信号转换成光，如红外线、可见光线或者紫外线。由于发光器件的光效率已经得到了提高，所以发光器件已经应用在各种领域中，如显示器件和照明器件。
技术实现思路
实施方案提供了一种能够改善工艺稳定性并且包括彼此电连接的多个单元的发光器件、一种发光器件封装件以及一种照明装置。根据实施方案的发光器件包括：第一发光结构，该第一发光结构包括第一导电型第一半导体层、在第一导电型第一半导体层下的第一有源层、以及在第一有源层下的第二导电型第二半导体层；在第一发光结构下的第一反射电极；第二发光结构，该第二发光结构包括第一导电型第三半导体层、在第一导电型第三半导体层下的第二有源层、以及在第二有源层下的第二导电型第四半导体层；在第二发光结构下的第二反射电极；将第一发光结构的第一导电型第一半导体层电连接至第二反射电极的接触部；以及在接触部与第二导电型第二半导体层之间的第一绝缘离子注入层。根据实施方案的发光器件包括：多个发光单元，各发光单元包括：反本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件，包括：包括第一导电型第一半导体层、在所述第一导电型第一半导体层下的第一有源层、以及在所述第一有源层下的第二导电型第二半导体层的第一发光结构；在所述第一发光结构下的第一反射电极；包括第一导电型第三半导体层、在所述第一导电型第三半导体层下的第二有源层、以及在所述第二有源层下的第二导电型第四半导体层的第二发光结构；在所述第二发光结构下的第二反射电极；将所述第一发光结构的所述第一导电型第一半导体层电连接至所述第二反射电极的接触部；以及在所述接触部与所述第二导电型第二半导体层之间的第一绝缘离子注入层。

【技术特征摘要】
2011.08.22 KR 10-2011-00837191.一种发光器件，包括：包括第一导电型第一半导体层、在所述第一导电型第一半导体层下的第一有源层、以及在所述第一有源层下的第二导电型第二半导体层的第一发光结构；在所述第一发光结构下的第一反射电极；包括第一导电型第三半导体层、在所述第一导电型第三半导体层下的第二有源层、以及在所述第二有源层下的第二导电型第四半导体层的第二发光结构；在所述第二发光结构下的第二反射电极；在所述第一发光结构和所述第二发光结构下的支撑基板；将所述第一发光结构的所述第一导电型第一半导体层电连接至所述第二反射电极的接触部；以及在所述接触部与所述第二导电型第二半导体层之间的第一绝缘离子注入层，其中所述接触部与所述第一导电型第一半导体层的内部接触，其中所述接触部与所述第二反射电极的下部和侧面直接接触,以及其中所述支撑基板、所述第一反射电极、所述第一发光结构、所述接触部、所述第二反射电极、所述第二发光结构串联连接，使得通过所述支撑基板和电连接至所述第二发光结构的电极对串联的所述第一发光结构和所述第二发光结构供电。2.根据权利要求1所述的发光器件，其中在所述第一反射电极与所述第二导电型第二半导体层之间设置有第一欧姆接触层，并且在所述第二反射电极与所述第二导电型第四半导体层之间设置有第二欧姆接触层。3.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁焕熙，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：