发光器件及发光器件封装件制造技术

本发明专利技术提供一种发光器件，包括：包括第一导电型第一半导体层、在第一导电型第一半导体层下的第一有源层、以及在第一有源层下的第二导电型第二半导体层的第一发光结构；在第一发光结构下的第一反射电极；包括第一导电型第三半导体层、在第一导电型第三半导体层下的第二有源层、以及在第二有源层下的第二导电型第四半导体层的第二发光结构；在第二发光结构下的第二反射电极；将第一发光结构的第一导电型第一半导体层电连接至第二反射电极的接触部；以及在接触部与第二导电型第二半导体层之间的第一绝缘离子注入层。

【技术实现步骤摘要】
发光器件及发光器件封装件
实施方案涉及一种发光器件、一种发光器件封装件以及一种照明装置。
技术介绍
发光二极管(LED)已经广泛地用作发光器件。LED利用化合物半导体的特性将电信号转换成光，如红外线、可见光线或者紫外线。由于发光器件的光效率已经得到了提高，所以发光器件已经应用在各种领域中，如显示器件和照明器件。
技术实现思路
实施方案提供了一种能够改善工艺稳定性并且包括彼此电连接的多个单元的发光器件、一种发光器件封装件以及一种照明装置。根据实施方案的发光器件包括：第一发光结构，该第一发光结构包括第一导电型第一半导体层、在第一导电型第一半导体层下的第一有源层、以及在第一有源层下的第二导电型第二半导体层；在第一发光结构下的第一反射电极；第二发光结构，该第二发光结构包括第一导电型第三半导体层、在第一导电型第三半导体层下的第二有源层、以及在第二有源层下的第二导电型第四半导体层；在第二发光结构下的第二反射电极；将第一发光结构的第一导电型第一半导体层电连接至第二反射电极的接触部；以及在接触部与第二导电型第二半导体层之间的第一绝缘离子注入层。根据实施方案的发光器件包括：多个发光单元，各发光单元包括：反射电极、在反射电极上的第二导电型半导体层、在第二导电型半导体层上的有源层、以及在有源层上的第一导电型半导体层；将第一发光单元的第一导电型半导体层电连接至与第一发光单元相邻的第二发光单元的反射电极的接触部；以及在接触部与第一发光单元的第二导电型半导体层之间的第一绝缘离子注入层。根据实施方案的发光器件封装件包括：本体；在本体上的发光器件；以及电连接至发光器件的第一和第二引线电极，其中，发光器件包括：第一发光结构，该第一发光结构包括第一导电型第一半导体层、在第一导电型第一半导体层下的第一有源层、以及在第一有源层下的第二导电型第二半导体层；在第一发光结构下的第一反射电极；第二发光结构，该第二发光结构包括第一导电型第三半导体层、在第一导电型第三半导体层下的第二有源层、以及在第二有源层下的第二导电型第四半导体层；在第二发光结构下的第二反射电极；将第一发光结构的第一导电型第一半导体层电连接至第二反射电极的接触部；以及在接触部与第二导电型第二半导体层之间的第一绝缘离子注入层。根据实施方案的发光器件封装件包括：本体；在本体上的发光器件；以及电连接至发光器件的第一和第二引线电极，其中，发光器件包括：多个发光单元，各发光单元包括反射电极、在反射电极上的第二导电型半导体层、在第二导电型半导体层上的有源层、以及在有源层上的第一导电型半导体层；将第一发光单元的第一导电型半导体层电连接至与第一发光单元相邻的第二发光单元的反射电极的接触部；以及在接触部与第一发光单元的第二导电型半导体层之间的第一绝缘离子注入层。根据实施方案的照明装置包括：板；安装在板上的发光器件；以及用作从发光器件发出的光的光路的光学构件，其中，发光器件包括：第一发光结构，该第一发光结构包括第一导电型第一半导体层、在第一导电型第一半导体层下的第一有源层、以及在第一有源层下的第二导电型第二半导体层；在第一发光结构下的第一反射电极；第二发光结构，该第二发光结构包括第一导电型第三半导体层、在第一导电型第三半导体层下的第二有源层、以及在第二有源层下的第二导电型第四半导体层；在第二发光结构下的第二反射电极；将第一发光结构的第一导电型第一半导体层电连接至第二反射电极的接触部；以及在接触部与第二导电型第二半导体层之间的第一绝缘离子注入层。根据实施方案的照明装置包括：板；安装在板上的发光器件；以及，用作从发光器件发出的光的光路的光学构件，其中，发光器件包括：多个发光单元，各发光单元包括反射电极、在反射电极上的第二导电型半导体层、在第二导电型半导体层上的有源层、以及在有源层上的第一导电型半导体层；将第一发光单元的第一导电型半导体层电连接至与第一发光单元相邻的第二发光单元的反射电极的接触部；以及在接触部与第一发光单元的第二导电型半导体层之间的第一绝缘离子注入层。根据实施方案的发光器件、发光器件封装件以及照明装置，可以改善工艺稳定性，并且可以提供彼此电连接的多个单元。附图说明图1是示出根据实施方案的发光器件的视图；图2至图6是示出用于制造根据实施方案的发光器件的方法的视图；图7和图8是示出根据实施方案的发光器件的改变实例的视图；图9是示出根据实施方案的发光器件封装件的视图；图10是示出根据实施方案的显示器件的视图；图11是示出根据另一实施方案的显示器件的视图；以及图12是示出根据实施方案的照明器件的视图。具体实施方式在实施方案的描述中，应理解当层(或者膜)、区域、图案或者结构称为在另一层(或者膜)、另一区域、另一垫或者另一图案“上”或者“下”时，其可以“直接”或者“间接”在其它基板、层(或者膜)、区域、垫或者图案上，或者也可以存在一个或更多个中间层。已经参照附图对层的这种位置进行了描述。出于方便或者清楚的目的，可以对附图中示出的各层的厚度和尺寸进行放大、省略或者示意性地描绘。此外，元件的尺寸并不完全反映实际尺寸。下文中，将参照附图对根据实施方案的发光器件、发光器件封装件、照明装置以及用于制造发光器件的方法进行描述。图1是示出根据实施方案的发光器件的视图。如图1中所示，根据实施方案的发光器件可包括：第一发光结构10、第二发光结构20、第三发光结构30、第一反射电极17、第二反射电极27、第三反射电极37以及电极80。虽然图1中示出三个发光结构，然而，根据实施方案的发光器件可以包括两个发光结构或者至少四个发光结构。发光结构可以以串联方式彼此电连接。此外，发光结构可以设置在支撑基板70上。第一发光结构10可以包括：第一导电型第一半导体层11、第一有源层12以及第二导电型第二半导体层13。第一有源层12设置在第一导电型第一半导体层11与第二导电型第二半导体层13之间。第一有源层12可以设置在第一导电型第一半导体层11下，第二导电型第二半导体层13可以设置在第一有源层12下。例如，第一导电型第一半导体层11可以制备为掺杂有作为第一导电型掺杂剂的n型掺杂剂的n型半导体层，第二导电型第二半导体层13可以制备为掺杂有作为第二导电型掺杂剂的p型掺杂剂的p型半导体层。与此相反，第一导电型第一半导体层11可以制备为p型半导体层，第二导电型第二半导体层13可以制备为n型半导体层。例如，第一导电型第一半导体层11可以包括n型半导体层。第一导电型第一半导体层11可以使用具有组成式InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料来制备。例如，第一导电型第一半导体层11可以包括选自GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP以及AlGaInP中的一种，并且可以掺杂有n型掺杂剂，如Si、Ge、Sn、Se或者Te。第一有源层12通过经由第一导电型第一半导体层11注入的电子(或者空穴)和经由第二导电型第二半导体层13注入的空穴(或者电子)的复合、基于根据构成第一有源层12的材料的能带的带隙差而发出光。第一有源层12可以具有单量子阱结构、多量子阱(MQW)结构、量子点结构以及量子线结构中的一种结构，但是实施方案不限于此。第一有源本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件，包括：包括第一导电型第一半导体层、在所述第一导电型第一半导体层下的第一有源层、以及在所述第一有源层下的第二导电型第二半导体层的第一发光结构；在所述第一发光结构下的第一反射电极；包括第一导电型第三半导体层、在所述第一导电型第三半导体层下的第二有源层、以及在所述第二有源层下的第二导电型第四半导体层的第二发光结构；在所述第二发光结构下的第二反射电极；将所述第一发光结构的所述第一导电型第一半导体层电连接至所述第二反射电极的接触部；以及在所述接触部与所述第二导电型第二半导体层之间的第一绝缘离子注入层。

【技术特征摘要】
2011.08.22 KR 10-2011-00837191.一种发光器件，包括：包括第一导电型第一半导体层、在所述第一导电型第一半导体层下的第一有源层、以及在所述第一有源层下的第二导电型第二半导体层的第一发光结构；在所述第一发光结构下的第一反射电极；包括第一导电型第三半导体层、在所述第一导电型第三半导体层下的第二有源层、以及在所述第二有源层下的第二导电型第四半导体层的第二发光结构；在所述第二发光结构下的第二反射电极；在所述第一发光结构和所述第二发光结构下的支撑基板；将所述第一发光结构的所述第一导电型第一半导体层电连接至所述第二反射电极的接触部；以及在所述接触部与所述第二导电型第二半导体层之间的第一绝缘离子注入层，其中所述接触部与所述第一导电型第一半导体层的内部接触，其中所述接触部与所述第二反射电极的下部和侧面直接接触,以及其中所述支撑基板、所述第一反射电极、所述第一发光结构、所述接触部、所述第二反射电极、所述第二发光结构串联连接，使得通过所述支撑基板和电连接至所述第二发光结构的电极对串联的所述第一发光结构和所述第二发光结构供电。2.根据权利要求1所述的发光器件，其中在所述第一反射电极与所述第二导电型第二半导体层之间设置有第一欧姆接触层，并且在所述第二反射电极与所述第二导电型第四半导体层之间设置有第二欧姆接触层。3.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁焕熙，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：