光电转换基底、辐射检测器、射线照相图像捕获装置以及辐射检测器的制造方法制造方法及图纸

提供一种光电转换基底，包括：多个像素，每个像素设置有形成在所述基底上的传感器部分和开关元件，所述传感器部分包括根据照射光线产生电荷的光电转换元件，所述开关元件从传感器部分读取电荷；平整层，所述平整层整平所述光电转换基底的其上形成有开关元件和传感器部分的表面；导电部件，所述导电部件形成在平整层的整个表面上；及将导电部件接地的连接部分。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光电转换基底、辐射检测器、射线照相图像捕获装置和辐射检测器的制造方法，尤其是涉及诸如在射线照相图像捕获这样的应用中所使用的光电转换基底、辐射检测器、射线照相图像捕获装置、以及辐射检测器的制造方法。
技术介绍
用于捕获射线照相图像的射线照相图像捕获装置是已知的，其中辐射检测器探測从辐射照射装置照射并且已经照射通过了对象的辐射。作为这样的射线照相图像捕获装置的辐射检测器，已知检测器设置有将照射的辐射转变成光线的闪烁体诸如荧光体，构造有像素的光电转换基底，其中每个像素设置有光电转换元件以在被闪烁体转换的光线照射时产生电荷，以及开关元件，所述开关元件读取在光电转换元件中产生的电荷。·由于这样的辐射检测器在光电转换基底上方设置有闪烁体，已知用于改进光电转换基底和闪烁体之间的粘附的技术。例如，在日本专利申请公开(JP-A) 2001-74846中描述了ー种技术，通过在保护层和闪烁体之间设置金属层或金属化合物层作为具有高导热率和到闪烁体的强粘合力的分离防止层，使得更难以将保护光电转换元件的保护层和闪烁体彼此分开。一般，在光电转换基底的表面上进行表面处理例如等离子体处理以便提高粘附性。例如，在日本专利申请公开2004-325442中描述了ー种技术，其中在布置在设置有光电转换元件的传感器面板上方的闪烁体地层的表面上进行大气压等离子体处理，通过在闪烁体地层的表面上形成闪烁体层来防止由于到闪烁体层的粘附不好而导致的分层现象。然而，在表面处理是在这样的光电转换基底的表面上进行的的情况中，在光电转换元件的表面上积聚的电荷可能导致光电转换元件的静电破坏。例如，当在大气压下进行等离子体处理(作为表面处理)时，空气的存在使得静电积聚更不易于发生，造成静电破坏的风险也相应地变小。然而，当等离子体处理是在真空中进行时，有很大的引起静电损害的风险。不仅仅是在进行表面处理时，当静电积聚在光电转换基底的表面上发生时，也可能引起静电破坏。
技术实现思路
本专利技术提供能够防止光电转换元件遭受静电破坏的光电转换基底、辐射检测器、射线照相图像捕获装置和辐射检测器的制造方法。本专利技术的第一方面是光电转换基底，包括多个像素、平整层、导电部件和连接部分。所述多个像素的每ー个设置有形成在所述基底上的传感器部分和开关元件。传感器部分包括根据照射光线产生电荷的光电转换元件，开关元件从传感器部分读取电荷。平整层整平所述光电转换基底的其上形成有开关元件和传感器部分的表面。抗静电层形成在平整层的整个表面上。所述连接部分将导电部件接地。在其中发光层(诸如闪烁体)形成在光电转换基底的表面上的辐射检测器的制造过程中，一般对将要粘附到发光层的光电转换基底进行表面处理(诸如等离子体处理)以便改善对发光层的粘附。然而，在表面处理期间，尤其是在进行真空中等离子处理期间，在经受表面处理时可能有电荷积聚在光电转换基底的表面上，导致电荷积累并可能引起对元件(诸如开关元件)的静电破坏。然而，当前示例性实施例的光电转换基底设置有平整层，该平整层整平设置有开关元件和传感器部分的基底的所述表面，还设置有形成在平整层的整个表面上的导电部件，以及用于将导电部件接地的连接部分。因此，在进行这样的表面处理的同时通过经由连接部分将导电部件接地，由于积聚在光电转换基底的表面上的电荷流向了地，能够防止在光电转换基底的表面上的静电积累。因此能够防止光电转换元件受到静电破坏。除了进行这样的表面处理的情况，通过经由连接部分将导电部件接地还可以减小外部噪声(例如 电磁波)的影响。上述方面可以构造成使得导电部件吸收照射光线的预定的长波长成分。一般，长波长成分不像短波长成分那样易于折射，因而倾斜光线的长波长成分具有更大的入射到相邻像素的可能性。以此方式入射到相邻像素的倾斜光线可造成射线照相图像中出现模糊。本专利技术通过用导电部件吸收照射光线的预定的长波长成分(例如红光)，从而能够抑制长波长成分入射到相邻像素上，而解决该问题。上述方面可以构造成使得光电转换元件包括用喹吖(ニ)酮形成的有机光电转换元件。上述方面可以构造成使得导电部件对光线是透明的。上述方面可以构造成使得导电部件通过连接部分接地。本专利技术的第二方面是辐射检测器，包括根据第一方面的光电转换基底；及发光层，其形成在光电转换基底的导电部件上并且根据照射辐射的辐射量发出光线。上述方面可以构造成使得发光层包括碱卤化物的柱状晶体。本专利技术的第三方面是射线照相图像捕获装置，包括第二方面的辐射检测器；及图像捕获装置，其读取根据照射辐射已经在辐射检测器中产生的电荷以及获取射线照相图像。本专利技术的第四方面是制造辐射检测器的方法，包括将权利要求I的光电转换基底的导电部件经由所述连接部分接地；在导电部件被接地的状态下，对光电转换基底的其上形成导电部件的所述表面进行表面处理；及在其上已经进行了表面处理的所述导电部件上形成发光层。上述方面可以构造成使得在导电部件接地的状态下进行发光层的形成步骤。上述方面可以构造成使得通过将发光层气相沉积在光电转换基底上来形成发光层。因此，本专利技术能够防止光电转换元件受到静电破坏。附图说明将基于下面的附图来详细地描述本专利技术的示例性实施例，在附图中图I为结构图，示出根据当前示例性实施例的射线照相图像捕获装置的整体结构的一个例子；图2为示意性结构图，示出根据当前的示例性实施例的闪烁体的例子；图3为平面图，示出当前示例性实施例的光电转换基底上的辐射检测器的单个像素单元的结构的例子； 图4为图3中示出的辐射检测器的沿A-A线截取的横截面；图5为图3中示出的辐射检测器的沿B-B线截取的横截面；图6的图表示出CsI (Tl)的发光特性和喹口丫(ニ)酮(quinacridone)的吸收波长;图7为关于入射到根据当前示例性实施例的辐射检测器的短波长成分的说明图；图8为关于入射到根据当前示例性实施例的辐射检测器的长波长成分的说明图；图9的图表示出ITO的折射率；图10为说明图(横截面)，解释根据当前示例性实施例的辐射检测器的制造过程；图11为说明图(横截面)，解释在根据当前示例性实施例的辐射检测器的制造过程中图10中所示エ序之后的エ序；图12为说明图(横截面)，解释在根据当前示例性实施例的辐射检测器的制造过程中图11中所示エ序之后的エ序；图13为说明图(横截面)，解释在根据当前示例性实施例的辐射检测器的制造过程中图12中所示エ序之后的エ序；图14为说明图(横截面)，解释在根据当前示例性实施例的辐射检测器的制造过程中图13中所示エ序之后的エ序；图15为说明图(横截面)，解释在根据当前示例性实施例的辐射检测器的制造过程中图14中所示エ序之后的エ序；图16为说明图(横截面)，解释在根据当前示例性实施例的辐射检测器的制造过程中图15中所示エ序之后的エ序。具体实施例方式对利用设置有当前示例性实施例的光电转换基底的辐射检测器的射线照相图像捕获装置给出概要的说明。图I的图示出射线照相图像捕获装置的整体结构的例子，所述射线照相图像捕获装置利用设置有当前示例性实施例的光电转换基底的辐射检测器。注意到从图I中省略了对闪烁体70 (后面会详细描述)的图示。根据当前示例性实施例的射线照相图像捕获装置100设置有间接转换方法辐射检测器10、扫描信号控制装置104、信号检测电路105以及控制器1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光电转换基底，包括：多个像素，每个像素设置有形成在所述光电转换基底上的传感器部分和开关元件，所述传感器部分包括根据照射光线产生电荷的光电转换元件，所述开关元件从传感器部分读取电荷；平整层，所述平整层整平所述光电转换基底的其上形成有所述开关元件和所述传感器部分的表面；导电部件，所述导电部件形成在所述平整层的整个表面上；及将所述导电部件接地的连接部分。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：大田恭义，佐藤圭一郎，西纳直行，中津川晴康，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：发明
国别省市：