垂直式发光二极管结构及其制备方法技术

技术编号:8387961 阅读:207 留言:0更新日期:2013-03-07 12:17
本发明专利技术是有关于一种垂直式发光二极管结构及其制备方法。本发明专利技术的垂直式发光二极管结构包括:多个发光二体极,其中,该每一发光二极管是包括一第一电极、一半导体磊晶层、及一第二电极,且该每一发光二极管的第二电极与相邻的发光二极管的第一电极是以串联或并联方式相互连接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于一种,尤指一种适用于以类金刚石镀膜层作为区隔材料的。
技术介绍
自60年代起,发光二极管的耗电量低及长效性的发光等优势,已逐渐取代日常生活中用来照明或各种电器设备的指示灯或光源等用途。更有甚者,发光二极管朝向多色彩及高亮度的发展,已应用在大型户外显示广告牌或交通号志。发光二极管(Light Emitting Diode, LED)的二电极可位于芯片的同一侧或相对侦牝前者称之为水平式发光二极管,而后者即所谓垂直式发光二极管。水平式发光二极管电 流经过半导体发光层时必须转弯而沿芯片平行方向引出或流入。垂直式发光二极管的电流则可顺流而不必在两极之间转弯。水平式发光二极管中,电流转弯时在内侧会汇流而造成热点使芯片在该处的缺陷加大而造成光度的衰减。除此之外,电流转弯的外侧因电子密度不足则会降低光子产生的数量。由于电流分布不均匀,水平式发光二极管的芯片不宜加大。与此相较,垂直发光二极管的电流密度平均,不会造成局部过热或局部暗光的现象,因此芯片面积可以加大。发光二极管的芯片常以外延生长(Epitaxial Growth)的方式沉积在基材(Substrate)的晶娃片上。制造发光_本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种垂直式发光二极管结构,包括多个发光二极管,其特征在于,该每一发光二极管包括一第一电极、一半导体磊晶层及一第二电极,且该每一发光二极管的第二电极与相邻的发光二极管的第一电极是以串联或并联方式相互连接。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:宋健民黄侯魁甘明吉
申请(专利权)人:铼钻科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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