外延成长方法技术

本发明专利技术是有关于一种外延成长方法，包括：提供一衬底；提供一溶剂及一溶质，设置于衬底表面，液化溶剂使溶质溶在溶剂内，以形成一熔融液于衬底表面；通入一碳源气体，其具有一稀释气体及一反应气体；以及形成一外延层于衬底表面；其中，熔融液通过一温度梯度熔解碳源气体及衬底，以形成外延层于衬底表面。因此，本发明专利技术通过利用碳源气体作为外延层的碳源，可解决衬底成长外延层时晶格不匹配过大的情形，进而得到高质量的外延层。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种外延成长方法，其特征在于，包括：提供一衬底；提供一溶剂及一溶质，设置于该衬底表面，液化该溶剂使该溶质溶在该溶剂内，以形成一熔融液于该衬底表面；通入一碳源气体，其具有一稀释气体及一反应气体；以及形成一外延层于该衬底表面；其中，该熔融液通过一温度梯度熔解该碳源气体及该衬底，以形成该外延层于该衬底表面。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：宋健民，
申请(专利权)人：铼钻科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：台湾;71