半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

公开一种半导体装置及其制造方法。根据一个实施例，半导体装置包括：装置基板；和支持基板。支持基板，在上述装置基板上接合。上述装置基板，在与上述支持基板的接合面侧的外周部具有第1沟槽。

【技术实现步骤摘要】
相关申请的引用本申请享受2011年9月13日申请的日本申请专利号2011-199951的优先权的利益，该日本申请专利的全部内容在本申请被援用。技术区域本实施方式涉及。
技术介绍
近几年,作为数码相机等使用的固体摄像装置,提出CMOS (Complementary MetalOxide Semiconductor :互补金属氧化物半导体)图像传感器,并商业化。作为这个CMOS图像传感器的特征，可列举单电源、低电压驱动、低功率。 CMOS图像传感器，根据多像素化和光学尺寸缩小的请求，像素尺寸逐年变小。例如，数码相机等使用的CMOS图像传感器的像素尺寸，在从2 ii m到3 ii m左右。在CMOS图像传感器中细微化进步时，产生通过布线间的光的开口变小的灵敏度下降的问题。对此问题，开发了在半导体基板的表面上具有信号扫描电路及其布线层(电路部)，在这个电路部的相反侧(背面侧)具有受光面的背面照射型CMOS图像传感器。通过用这个结构，能提高CMOS图像传感器的灵敏度。背面照射型CMOS图像传感器中，通过直接接合方式贴合形成布线层的设备晶圆(装置基板)和用于支持的支持晶圆(支持基板)之后，由切割步骤来本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，包括：装置基板；和在上述装置基板上接合的支持基板；上述装置基板在与上述支持基板的接合面侧的外周部具有第1沟槽。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：本乡悟史，谷田一真，高桥健司，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：