一种CMOS图像传感器结构制造技术

本实用新型专利技术提供了一种CMOS图像传感器结构，包括高反射率薄膜、两层金属连线和彩色滤光片阵列，用于屏蔽入射光的高反射率薄膜设置在两层金属连线的四周和顶部，所述彩色滤光片阵列设置在所述CMOS图像传感器结构的感光通道中。本实用新型专利技术能够有效的将入射光引导至光电二极管的表面，从而改善了光电二极管的灵敏度和量子效率；该结构感光通道和平坦层有效的抑制了入射光在通道外的介质中发生折射，从而屏蔽了光的串扰；该结构图像传感器将CFA材料替代传统结构的介质材料避免了入射光因介质折射率差异造成的反射。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种CMOS图像传感器像素结构，属于图像传感器

技术介绍
现代图像传感器的广泛应用驱使CMOS图像传感器向越来越小的尺寸发展。随着像素尺寸的缩小，与之密切相关的感光二极管电容、灵敏度、量子效率等参数面临着严峻的挑战。因此，使得光能够更加有效的被感光二极管吸收的方法或者设备成为了小尺寸像素成像质量的关键因素之一。传统的CMOS图像传感器(以三层金属的像素结构为例)如图I所示，在P型衬底材料100上通过光刻、离子注入、腐蚀和扩散等传统的集成电路制造工艺形成光电二极管102，光电二极管102之间用浅沟槽绝缘(STI)IOl结构隔离。通过溅射工艺在光电二 极管102上面形成控制信号的金属线。通过化学气相淀积(CVD)工艺形成介质层作为金属与金属，金属与娃的隔离层。光电二极管102表面自下而上的介质层是第一 ILD-Si3N4103a、第二 ILD-SiO2 103b、第一 MD105、第二 MD107、第三 IMD109a 和钝化层-Si3N4 109b,其中钝化层-Si3N4 10%有两个作用一是保护表面，二是作为后文中提到的彩色滤光片阵列Illa和Illb的平坦层。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种CMOS图像传感器结构，包括高反射率薄膜、两层金属连线和彩色滤光片阵列，其特征在于，用于屏蔽入射光的高反射率薄膜设置在两层金属连线的四周和顶部，所述彩色滤光片阵列设置在所述CMOS图像传感器结构的感光通道中。

【技术特征摘要】
1.一种CMOS图像传感器结构，包括高反射率薄膜、两层金属连线和彩色滤光片阵列，其特征在于，用于屏蔽入射光的高反射率薄膜设置在两层金属连线的四周和顶部，所述彩色滤光片阵列设置在所述CMOS图像传感器结构的感光通道中。2.根据权利要求I所述的CMOS图像传感器结构，其特征在于，所述CM...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈多金，赵文霖，旷章曲，
申请(专利权)人：北京思比科微电子技术股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：