【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种影像传感器结构,尤其是一种高像素影像传感器封装结构。
技术介绍
过去CMOS影像传感器的应用集中在200万像素以下,随着平板电脑,智慧手机的应用,背照式(BSI Backside illumination)技术的与时俱进,像素微小化以及先进制程的技术突破,带动了 CMOS影像传感器大举进军高像素(像素500万以上)应用市场,而芯片级封装(CSP =Chip Scale Package)在高像素CMOS影像传感器封装会有技术的缺陷与瓶颈,板上芯片(COB =ChipOn Board)封装必定是趋势。然而目前绝大部分高像素CMOS影像传感器COB封装结构时电容电阻,驱动马达与CMOS影像传感器摆放在一起,中间没有采取隔离措施,电容电阻被动元件在SMT表面贴装 工艺后会有锡珠,助焊剂,而锡珠,助焊剂很容易跑到CMOS影像传感器上面,清洁非常困难或无法清洁,这样在影像输出会产生污点等不良,加上结构设计时没有把光学中心偏移,传感器的倾斜等考虑到位,封装出来的产品对摄像头模组组装端组装困难,容易影像产生暗角,影像单边解析度模糊不良,对影像品质无法保证,封装良率 ...
【技术保护点】
一种高像素影像传感器封装结构,其特征在于:包括一基板,所述的基板上贴装有位于中部的CMOS传感器及位于边缘位置的电容电阻和驱动马达,所述的基板上设有一隔离墙底座,所述的隔离墙底座上对应基板上CMOS传感器、电容电阻和驱动马达的位置分别设有CMOS传感器空位、电容电阻空位及驱动马达空位,所述的CMOS传感器空位与电容电阻空位及驱动马达空位通过隔离墙隔断,所述的CMOS传感器空位上表面安装一玻璃片。
【技术特征摘要】
1.一种高像素影像传感器封装结构,其特征在于包括一基板,所述的基板上贴装有位于中部的CMOS传感器及位于边缘位置的电容电阻和驱动马达,所述的基板上设有一隔离墙底座,所述的隔离墙底座上对应基板上CMOS传感器、电容电阻和驱动马达的位置分别设有CMOS传感器空位、电容电阻空位及驱动马达空位,所述的CMOS传感器空位与电容电阻空位及驱动马达空位通过隔离墙隔断,所...
【专利技术属性】
技术研发人员:劳景益,
申请(专利权)人:东莞旺福电子有限公司,
类型:实用新型
国别省市:
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