【技术实现步骤摘要】
本专利技术大体涉及集成电路，且更特定来说涉及互补金属氧化物半导体图像传感器电路中的随机电报信号噪声的减小。
技术介绍
在集成电路中，设计者试图增加电路密度。换句话说，设计者试图将更多电子装置放置在相同空间量中。有源装置位于称为有源区域的区域中。其它区域用绝缘体、间隔件或间隙填充，所述绝缘体、间隔件或间隙归因于特定布局设计或制造设备的局限性而完全不能加以使用。在光学传感器中，设计者试图增加与其它装置相比用于光电二极管(或 任何其它类型的光学传感器)的空间量。此允许相同空间量中的较大光电部位或较多光电部位，从而提高传感器输出的质量，或减小具有相同质量的传感器的总体尺寸，或实现上述两个目的。对于光学传感器，针对相同总面积量增加有源区域的量可允许较高质量的电路，或允许用于非光电部位的电子装置的空间减小。集成电路中使用STI (浅沟槽隔离)和STI植入保护来保护装置使其免受其它附近装置影响。STI尤其可用于提供保护以免受累积电荷的装置(例如，电容器、光电二极管和电源组件)影响。当晶体管使用STI和STI植入保护时，装置的有源区域的宽度变小许多。对于晶体管，栅极区域下方的有...
【技术保护点】
一种电路，其包括：具有源极、漏极和所述源极与所述漏极之间的栅极的图像传感器的互补金属氧化物半导体晶体管，所述晶体管具有用以在所述栅极的影响下耦合所述源极与所述漏极的沟道；以及隔离屏障，其围绕所述源极和所述漏极的周边以将所述源极和所述漏极与其它装置隔离，其中所述隔离屏障距所述沟道的中心部分某一距离。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：戴幸志，顾克强，毛杜利，文森特·韦内齐亚，陈刚，
申请(专利权)人：全视科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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