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具有额外有源区域的半导体装置之间的隔离区域制造方法及图纸
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文档序号:8490825
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本发明描述一种提供集成电路上的半导体装置之间的额外有源区域的隔离区域。在一个实施例中,本发明包含:具有源极、漏极和所述源极与所述漏极之间的栅极的图像传感器的互补金属氧化物半导体晶体管,所述晶体管具有用以在所述栅极的影响下耦合所述源极与所述漏...
该专利属于全视科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过全视科技有限公司授权不得商用。
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