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本发明公开了一种CMOS影像传感器光学增强结构及制备方法,该结构包括硅衬底及其上的光敏元件和标准CMOS多层结构,该光敏元件上方具有形成透光空间的深沟槽,该深沟槽侧壁由金属反射层环绕,以反射入射到该金属反射层的光线。本发明的光学增强结构在光...该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种CMOS影像传感器光学增强结构及制备方法,该结构包括硅衬底及其上的光敏元件和标准CMOS多层结构,该光敏元件上方具有形成透光空间的深沟槽,该深沟槽侧壁由金属反射层环绕,以反射入射到该金属反射层的光线。本发明的光学增强结构在光...